詳細情報 |
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材料: | SiCの単結晶4H-Nのタイプ | グレード: | ダミー/研究の/Productionの等級 |
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Thicnkss: | 430umまたはカスタマイズされる | Suraface: | LP/LP |
アプリケーション: | 装置メーカーの磨くテスト | 直径: | 150±0.5mm |
ハイライト: | 炭化ケイ素の基質,sicのウエファー |
製品の説明
4H-Nテストの等級6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質のウエファー、sicの水晶インゴットsicの半導体の基質、炭化ケイ素の水晶ウエファー
炭化ケイ素(SiC)の水晶について
炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体です。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つです半導体の電子工学装置で使用されます、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立ちます
1. 指定
6インチ(直径)、炭化ケイ素(SiC)の基質の指定 | ||||||||
等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||
直径 | 150.0 mm±0.2mm | |||||||
ThicknessΔ | 350 μm±25μmか500±25un | |||||||
ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:軸線の< 1120=""> 4H-Nのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-SI/4H-SIのための±0.5° | |||||||
第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||||||
第一次平らな長さ | 47.5 mm±2.5 mm | |||||||
端の排除 | 3つのmm | |||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||
抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||||||
CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | |||||
高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | |||||
高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積area≤2% | 累積area≤5% | |||||
高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | |||||
端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |||||
高輝度ライトによる汚染 | どれも |
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー
2インチ4H NタイプSiCのウエファー
3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー 6インチ4H NタイプSiCのウエファー |
半絶縁する4H/高い純度SiCのウエファー SiCのウエファーを半絶縁する2インチ4H
SiCのウエファーを半絶縁する3インチ4H SiCのウエファーを半絶縁する4インチ4H SiCのウエファーを半絶縁する6インチ4H |
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー |
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サービス
私達は半導体工業の経験5年のにわたるの販売工学スタッフを持っていることの私達自身を自漫します。彼らは技術的な質問に答えるために、またあなたの必要性に時機を得た引用語句を提供するために訓練されます。
私達はいつでもによってあなたの側面に問題があるあり、10hoursのそれを解決しますとき。