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詳細情報 |
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| 材料: | GaAsの水晶 | 方法: | VGF |
|---|---|---|---|
| サイズ: | 4inch dia100mm | Thickess: | 380um |
| 表面: | DSP | 適用: | 導かれる、ld装置 |
| ハイライト: | gasbの基質,半導体ウエハー |
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製品の説明
VFGのmetod Nタイプ2inch/3inch、4inchのNタイプ6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファー
マイクロエレクトロニクスのためのSemi-insulatingタイプ、
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（GaAs）ガリウム砒素のウエファー
ガリウム砒素（GaAs）は要素ガリウムおよびヒ素の混合物である。それはIII-Vの直接bandgapの半導体である
亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造を使って。
ガリウム砒素は単一マイクロ波振動数の集積回路のような装置の製造で使用される
マイクロウェーブ集積回路、赤外線発光ダイオード、半導体レーザー、太陽電池および光学窓。[2]
GaAsはインジウムのガリウム砒素を含む他のIII-Vの半導体のエピタキシアル成長のための基質材料として頻繁に使用される、
アルミニウム ガリウム砒素および他。
。
GaAsのウエファーの特徴および塗布
| 特徴 | 適用分野 |
|---|---|
| 高い電子移動度 | 発光ダイオード |
| 高周波 | 半導体レーザー |
| 高い変換効率 | 光起電装置 |
| 低い電力の消費 | 高い電子移動度のトランジスター |
| 直接バンド ギャップ | ヘテロ接合の両極トランジスター |
指定
Undoped GaAs
Semi-Insulating GaAsの指定
| 成長方法 | VGF |
| 添加物 | カーボン |
| ウエファーShape* | 円形（DIA:2"、3"、4"、および6"） |
| 表面のオリエンテーション** | （100） ±0.5° |
*5」利用できるウエファー要望に応じて
**利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション
| 抵抗（Ω.cm） | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| 移動性（cm2/V.S） | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 |
| 腐食ピッチ密度（cm2） | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| ウエファーの直径（mm） | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| 厚さ（µm） | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] （µm） | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] （µm） | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| ゆがみ（µm） | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| の（mm） | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ノッチ |
| の/（mm） | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P | P/E E/E P/P |
*E=Etched、P=Polished
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パッケージ及び配達
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