詳細情報 |
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材料: | SiCの単結晶4H-Nのタイプ | グレード: | ダミー/研究の/Productionの等級 |
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Thicnkss: | カスタマイズされる4 | Suraface: | LP/LPかようにカット |
アプリケーション: | 装置メーカーの磨くテスト | 直径: | 150±0.5mm |
ハイライト: | 炭化ケイ素の基質,サファイアのウエファーのケイ素 |
製品の説明
4H-Nテストの等級6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質のウエファー、sicの水晶インゴットsicの半導体の基質、炭化ケイ素の水晶ウエファー
炭化ケイ素(SiC)の水晶について
炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体です。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つです半導体の電子工学装置で使用されます、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立ちます
4インチ伝導性SiCのウエファーの指定 | ||||
プロダクト | 4H SiC | |||
等級 | 等級I | 等級II | 等級III | |
多結晶性区域 | どれも割り当てませんでした | どれも割り当てませんでした | <5> | |
polytype区域 | どれも割り当てませんでした | ≤20% | 20% | 50% | |
Micropipe密度) | <>5micropipes/cm-2 | <>30micropipes/cm-2 | <100micropipes>-2 | |
総使用可能な区域 | >95% | >80% | N/A | |
直径 | 100.0 mm +0/-0.5 mm | |||
厚さ | 500 μmの± 25のμmか顧客の指定 | |||
添加物 | nのタイプ:窒素 | |||
第一次平らなオリエンテーション) | ± 5.0°<11-20> への垂直 | |||
第一次平らな長さ | ± 32.5 mmの2.0 mm | |||
二次平らなオリエンテーション) | 第一次平らな± 5.0°からの90° CW | |||
二次平らな長さ) | ± 18.0 mmの2.0 mm | |||
軸線のウエファーのオリエンテーション) | {0001の} ± 0.25° | |||
軸線のウエファーのオリエンテーションを離れて | ± 0.5° <11-20> または顧客の指定の方の4.0° | |||
TTV/BOW/Warp | <>5μm/<10>μm/< 20=""> | |||
抵抗 | 0.01~0.03 Ωの×cm | |||
表面の終わり | Cの表面光沢。Siの表面CMP (Siの表面:Rq<> 0.15 nm)か顧客の指定 |
二重側面の光沢 |
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー
2インチ4H NタイプSiCのウエファー
3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー 6インチ4H NタイプSiCのウエファー |
半絶縁する4H/高い純度SiCのウエファー SiCのウエファーを半絶縁する2インチ4H
SiCのウエファーを半絶縁する3インチ4H SiCのウエファーを半絶縁する4インチ4H SiCのウエファーを半絶縁する6インチ4H |
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー |
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販売及びカスタマー サービス
材料の購入
材料の購買部は責任がありますあなたのプロダクトを作り出すのに必要とされるすべての原料を集めるために。化学および物理的な分析を含むすべてのプロダクトそして材料の完全なトレーサビリティは、利用できます常に。
質
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サービス
私達は半導体工業の経験5年のにわたるの販売工学スタッフを持っていることの私達自身を自漫します。彼らは技術的な質問に答えるために、またあなたの必要性に時機を得た引用語句を提供するために訓練されます。
私達はいつでもによってあなたの側面に問題があるあり、10hoursのそれを解決しますとき。