• カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片
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カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片

カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 10x10x0.5mmt

お支払配送条件:

最小注文数量: 1pcs
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
受渡し時間: 1-6weeks
支払条件: トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 1-50pcs/month
ベストプライス 連絡先

詳細情報

材料: SiCの単結晶4H-Nのタイプ グレード: /Productionの模造の等級
Thicnkss: 0.5 mm Suraface: 洗練されました。
アプリケーション: 軸受けテスト 直径: 10x10x0.5mmt
色: ダークブラウン
ハイライト:

サファイアのウエファーのケイ素

,

sicのウエファー

製品の説明

 
Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質wafersS/Customziedようカットのsicのウエファー

炭化ケイ素(SiC)の水晶について  

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体です。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つです半導体の電子工学装置で使用されます、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立ちます。

1. 記述
特性4H SiCの単結晶6H SiCの単結晶
格子変数a=3.076 Å c=10.053 Åa=3.073 Å c=15.117 Å
順序の積み重ねABCBABCACB
Mohsの硬度≈9.2≈9.2
密度3.21 g/cm33.21 g/cm3
Therm。拡張係数4-5×10-6/K4-5×10-6/K
屈折の索引@750nm

= 2.61無し
ne = 2.66

= 2.60無し
ne = 2.65

比誘電率c~9.66c~9.66
熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
熱伝導性(半絶縁)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

バンド ギャップ3.23 eV3.02 eV
故障の電場3-5×106V/cm3-5×106V/cm
飽和漂流速度2.0×105m/s2.0×105m/s

 

4インチによってn添加される4H炭化ケイ素SiCのウエファー

 高い純度4inchの直径の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定
 
 
 

カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片 1カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片 2カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片 3
 
カタログの公有地のサイズ                             
 

 

4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー
4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット

 
半絶縁する4H/高い純度SiCのウエファー

SiCのウエファーを半絶縁する2インチ4H
SiCのウエファーを半絶縁する3インチ4H
SiCのウエファーを半絶縁する4インチ4H
SiCのウエファーを半絶縁する6インチ4H
 
 
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット
 
 2-6inchのためのCustomziedのサイズ 
 

ZMKJ Companyについて
 
ZMKJの缶は電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiCのウエファー(炭化ケイ素)を提供します。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適しています。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡して下さい。

 
私達の関係プロダクト 
サファイアのwafer&レンズLiTaO3水晶SiCのウエファーLaAlO3/SrTiO3/ウエファーのルビーの球

カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素のウエファー10x10x0.5mm 4H-N SiCの水晶の破片 4

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