• Microwave/HEMT/PHEMTのためのSiによって添加される半導体の基質のガリウム砒素GaAsのウエファー
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Microwave/HEMT/PHEMTのためのSiによって添加される半導体の基質のガリウム砒素GaAsのウエファー

Microwave/HEMT/PHEMTのためのSiによって添加される半導体の基質のガリウム砒素GaAsのウエファー

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
モデル番号: 6inch S-C-N

お支払配送条件:

最小注文数量: 5 袋
価格: by case
パッケージの詳細: 単一のウエファーはN2の下で6"でプラスチックの箱詰まりました
受渡し時間: 2 - 4週間
支払条件: トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 毎月500枚
ベストプライス 連絡先

詳細情報

材料: GaAsの単結晶 サイズ: 6inch
厚さ: 650umまたはcustomzied タイプの: 平たい箱のノッチまたは
オリエンテーション: (100) 2°off 表面に: DSP
成長方法: VFG
ハイライト:

gasbの基質

,

半導体ウエハー

製品の説明

2inch/3inch /4inch /6inch S-C-Nのタイプはガリウム砒素GaAsのウエファーをSi添加しました 

製品の説明

GaAs)ガリウム砒素のウエファー

PWAMは化合物半導体基質ガリウム ヒ化物の水晶およびウエファーを開発し、製造します。私達は高度の結晶成長の技術、縦の勾配の氷結(VGF)およびGaAsのウエファーの加工技術使用し、結晶成長、磨く処理にひく切断からの生産ラインを確立し、そしてウエファーのクリーニングおよび包装のための100クラスのクリーン ルームを造りました。私達のGaAsのウエファーはLED、LDおよびマイクロエレクトロニクスの適用のための2~6インチのインゴット/ウエファーを含んでいます。私達は小国家の質を現在改善し、大型の基質を開発するために常に捧げられます。

(LEDの塗布のためのGaAs)ガリウム砒素のウエファー

  • 1. 電子工学で主に、低温合金使用されて、ガリウム砒素。
  • 2. 電子工学のガリウムの第一次化合物はマイクロウェーブ回路、高速切換え回路および赤外線回路で、使用されます。
  • 3. ガリウム窒化物およびインジウム ガリウム窒化物、なぜなら半導体の使用は、青およびすみれ色の発光ダイオード(LEDs)およびダイオードのレーザーを作り出します。
Microwave/HEMT/PHEMTのためのSiによって添加される半導体の基質のガリウム砒素GaAsのウエファー 0
製品の説明
指定--6インチのSI添加物NタイプSSP/DSP LED/LDのガリウム砒素のウエファー
成長方法
VGF
オリエンテーション
<100>
直径
150.0 +/- 0.3 mm
厚さ
650um +/- 25um
ポーランド語
味方された磨かれた(SSP)を選抜して下さい
表面の粗さ
磨かれた
TTV/Bow
<10um>
添加物
Si
伝導性のタイプ
Nタイプ
抵抗(RTで)
(1.2~9.9) *10-3オームcm
腐食ピット密度(EPD)
LED <5000>2;LD <500>
移動性
LED >1000のcm2/v.s;LD >1500のcm2/v.s
キャリア集中
LED > (0.4-4) *1018 /cm 3;LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3

半導体GaAsのウエファーの指定

    

 成長方法

VGF

添加物

pタイプ:Zn

nタイプ:Si

ウエファーの形

円形(DIA:2"、3"、4"、6")

表面のオリエンテーション*

(100) ±0.5°

*利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション

添加物

Si (nタイプ)

Zn (pタイプ)

キャリア集中(cm3)

(0.8-4の) × 1018

(0.5-5の) × 1019

移動性(cm2/V.S.)

(1-2.5の) × 103

50-120

腐食ピッチ密度(cm2)

100-5000

3,000-5,000

ウエファーの直径(mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

厚さ(µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

ゆがみ(µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

の(mm)

17±1

22±1

32.5±1

の/(mm)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E、

P/E、

P/P

E/E、

P/E、

P/P

E/E、

P/E、

P/P

GaAsのウエファーの半絶縁の指定

成長方法

VGF

添加物

SIのタイプ:カーボン

ウエファーの形

円形(DIA:2"、3"、4"、6")

表面のオリエンテーション*

(100) ±0.5°

*利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション

抵抗(Ω.cm)

≥ 1の× 107

≥ 1の× 108

移動性(cm2/V.S)

≥ 5,000

≥ 4,000

腐食ピッチ密度(cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

ウエファーの直径(mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

厚さ(µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

ゆがみ(µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

の(mm)

17±1

22±1

32.5±1

ノッチ

の/(mm)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E、

P/E、

P/P

E/E、

P/E、

P/P

E/E、

P/E、

P/P

E/E、

P/E、

P/P

Microwave/HEMT/PHEMTのためのSiによって添加される半導体の基質のガリウム砒素GaAsのウエファー 1

 

FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できますか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れます。
(2)あなた自身の明白な数があれば、大きいです。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができます。Freight=USD25.0 (最初の重量) + USD12.0/kg

Q:受渡し時間は何ですか。
(1)球レンズ、パウエル レンズおよびコリメーター レンズのような標準的なプロダクトのために:
目録のため:配達は順序の後に5仕事日です。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数です。
(2)以外標準的なプロダクトのための、配達は順序を置いた後2か6週労働日数です。

Q:支払う方法か。
Alibabaおよび等のT/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証…

Q:MOQは何ですか。
(1)目録のための、MOQは5pcsです。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-20pcsです。
それは量および技術によって決まります

Q:材料のための点検報告がありますか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいいです。

 

包装– Logistcs
私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわります。量そして形のプロダクトに従って、

私達は別の包装プロセスを取ります!

この製品の詳細を知りたい
に興味があります Microwave/HEMT/PHEMTのためのSiによって添加される半導体の基質のガリウム砒素GaAsのウエファー タイプ、サイズ、数量、素材などの詳細を送っていただけませんか。
ありがとう!
お返事を待って。