• 2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー
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2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー

2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 2inch*0.625mmt

お支払配送条件:

最小注文数量: 10pcs
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
受渡し時間: 2 - 4週間
支払条件: トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 1-50pcs/month
ベストプライス 連絡先

詳細情報

素材: SiCの単結晶の4H-Nタイプ 等級: ダミー/研究の生産の等級
Thicnkss: 0.625MM Suraface: ようにカット
適用: ポーランド装置テスト 直径: 50.8mm
ハイライト:

炭化ケイ素の基質

,

sicのウエファー

製品の説明

 

 
Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質wafersS/Customziedようカットのsicのウエファー

炭化ケイ素(SiC)の水晶について

 

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。

1. 記述

炭化ケイ素の物質的な特性

特性

4H SiCの単結晶

6H SiCの単結晶

格子変数

a=3.076 Å c=10.053 Å

a=3.073 Å c=15.117 Å

順序の積み重ね

ABCB

ABCACB

Mohsの硬度

9.2

9.2

密度

3.21 g/cm3

3.21 g/cm3

Therm。拡張係数

4-5×10-6/K

4-5×10-6/K

屈折の索引@750nm

= 2.61無しne = 2.66

= 2.60無しne = 2.65

比誘電率

c~9.66

c~9.66

熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K

 

熱伝導性(Semi-insulating)

a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K

バンド ギャップ

3.23 eV

3.02 eV

故障の電場

3-5×106V/cm

3-5×106V/cm

飽和漂流速度

2.0×105 m/s

2.0×105 m/s

4インチは4H炭化ケイ素SiCのウエファーをn添加した

2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー 12Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー 22Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー 32Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー 4

 

2インチ(直径)の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定

等級

生産の等級

研究の等級

模造の等級

 直径

50.8 mm±0.38 mm

 厚さ

330 μm±25μmまたはcustomzied

 

ウエファーのオリエンテーション

軸線: <0001>軸線を離れた6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SIのための±0.5°:の4H-N/4H-SIのための1120のの方の4.0° ±0.5°

 Micropipe密度

≤5 cm-2

≤15 cm-2

≤50 cm-2

抵抗

4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1 Ω·cm

4/6H-SI

>1E5 Ω·cm

(90%) >1E5 Ω·cm

 第一次平たい箱

{10-10} ±5.0°

第一次平らな長さ

15.9 mm±1.7 mm

 二次平らな長さ

8.0 mm±1.7 mm

 二次平らなオリエンテーション

上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から

端の排除

1つのmm

 TTV/Bow /Warp

≤15μm/≤25μm/≤25μm

荒さ

ポーランドRa≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm


高輝度ライトでひび

どれも

どれも

1弾の割り当てられる、≤1 mm

高輝度ライトによる六角形の版

累積area≤ 1%

累積area≤ 1%

累積area≤ 3%


高輝度ライトによるPolytype区域

どれも

累積area≤ 2%

累積area≤5%


高輝度ライトによる傷

1×wafer直径の累積長さへの3つの傷

1×wafer直径の累積長さへの5つの傷

1×wafer直径の累積長さへの8つの傷

端の破片

どれも

3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ

5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ

   
 
カタログ  共通のサイズ
                            
 

 

4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー
4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット

 
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー

2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
 
 
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット
 
 2-6inchのためのCustomziedのサイズ
 
 

ZMKJ Companyについて
 
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー(炭化ケイ素)をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。

 
私達の関係プロダクト
 サファイアのwafer&レンズLiTaO3水晶SiCのウエファーLaAlO3/SrTiO3/ウエファーのルビー色の球のギャップのウエファー

2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー 5

FAQ:

Q:船積みおよび費用および支払言葉の方法は何であるか。

:(1)私達はDHL、Federal Express、EMS等によって100% T/Tを先立って受け入れる。

(2)あなた自身の明白な記述があれば、大きい。そうでなかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができる。

貨物は実際の解決に従ってある。

 

Q:あなたのMOQは何であるか。

:(1)目録のための、MOQは2pcsである。

(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcsである。

 

Q:私は私の必要性に基づいてプロダクトをカスタマイズしてもいいか。

:はい、私達は材料、指定および形のあなたの必要性に基づいてサイズをカスタマイズしてもいい。

 

Q:受渡し時間は何であるか。

:(1)標準的なプロダクトのために

目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。

カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序を置いた3週後2またはである。

(2)特別型プロダクトのための、配達は順序を置いた後4週労働日数である。

 

この製品の詳細を知りたい
に興味があります 2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー タイプ、サイズ、数量、素材などの詳細を送っていただけませんか。
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