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詳細情報 |
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| 材料: | サファイアの単結晶 | オリエンテーション: | C軸線 |
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| 表面: | SSPかDSP | 厚さ: | 0.5mmまたはカスタマイズされる |
| 適用: | 導かれるか、または光学ガラス/半導体のキャリア | 成長方法: | ky |
| TTV: | <5um> | タイプの: | ノッチ |
| ハイライト: | サファイアのウエファー,シリコン基板 |
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製品の説明
半導体のキャリア版/sos/のpssのためのノッチのタイプとの650um/1000um厚さの8inch/6inch/5inch/2inch /3inch 4inch /5inchのC軸線の軸線のr軸線のm軸線の6"/6inch dia150mm C平面のサファイアSSP/DSPのウエファー/光学
約総合的なサファイア ガラス
サファイアの特性
| 概要 | |||||
| 化学式 | Al2O3 | ||||
| 結晶構造 | 六角形システム（（hk o 1） | ||||
| 単位格子次元 | a=4.758 Å、Å c=12.991 Å、c:a=2.730 | ||||
| 身体検査 | |||||
| メートル | 英語（帝国） | ||||
| 密度 | 3.98 g/cc | 0.144 lb/in3 | |||
| 硬度 | 1525 - 2000年Knoop、9つのmhosの | 3700° F | |||
| 融点 | 2310 K （C） 2040° | ||||
| 構造 | |||||
| 引張強さ | 275 MPaへの400 MPa | 40,000から58,000のpsi | |||
| 20° | 400 MPa | 58,000のpsi （設計min.） | |||
| 500° C | 275 MPa | 40,000のpsi （設計min.） | |||
| 1000° C | 355 MPa | 52,000のpsi （設計min.） | |||
| Flexural Stength | 480 MPaへの895 MPa | 70,000から130,000のpsi | |||
| 圧縮の強さ | 2.0 GPa （最終的な） | 300,000のpsi （最終的） |
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中国で多くの会社によってサファイア ガラスの成長のためのKyropoulosプロセス（KYプロセス）が現在電子工学および光学工業のためのサファイアを作り出すのに使用されている。
高純度、酸化アルミニウムは2100以上の摂氏温度のるつぼで溶ける。通常るつぼはタングステンかモリブデンから成っている。正確に方向づけられた種結晶は溶解したアルミナに浸る。種結晶はゆっくり上向きに引っ張られ、同時に回るかもしれない。正確に気温傾度を、引きの率および温度の減少制御することによって、の率溶解から大きく、single-crystal、大体円柱インゴットを作り出すことは可能である。
単結晶のサファイアの後でboulesは育つ、円柱棒に中心あく、棒は望ましい窓の厚さにスライスされ、望ましい表面の終わりに最終的に磨かれる。
半導体回路のための基質として使用
薄いサファイアのウエファーはケイ素を沈殿させるためにサファイアか「SOS」で集積回路をケイ素として知られているように、優秀な電気絶縁の特性のほかにするためにサファイアに高い熱伝導性がある絶縁の基質の最初の巧妙な使用だった。サファイアのCMOSの破片は携帯電話、公衆安全バンド ラジオおよび衛星通信システムに見つけられるそれらのような強力な無線周波数（RF）の適用のために特に有用である。
single-crystalサファイアのウエファーはガリウム窒化物（GaN）に基づいて装置の成長のために基質として半導体工業でも使用される。サファイアの使用はかなりゲルマニウムの費用約7分の1があるので、コストを削減する。サファイアのガリウム窒化物は青い発光ダイオード（LEDs）で一般的である。
窓材料として使用される
総合的なサファイアは（時々サファイア ガラスと言われる） 750 nmに150 nm （紫外線）と5500 nm （IR）間のライトの波長に対して非常に透明（可視スペクトルであるので窓材料として一般的、伸ばす約380 nmをおよび非常に傷抵抗力があるである。サファイアの窓の主な利点は次のとおりである:
*紫外線からのnear-infraredへの非常に広い光学伝達バンド
*他の光学材料またはガラス窓よりかなり強い
*負傷および摩耗（ミネラル硬度のスケールのMohsスケールの9、moissaniteの隣の第3最も堅く自然な物質およびダイヤモンド）に対して非常に抵抗力がある
*非常に高い溶ける温度（2030年の°C）
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標準的なウエファー（customzied） 2インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
3インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 4インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 6インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP |
特別な切口
平面の（1120の）サファイアのウエファー R平面の（1102の）サファイアのウエファー M平面の（1010の）サファイアのウエファー N平面の（1123の）サファイアのウエファー 軸線またはM軸線の方の0.5°~ 4°のoffcutとのC軸線、 他のカスタマイズされたオリエンテーション |
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カスタマイズされたサイズ
10*10mmのサファイアのウエファー 20*20mmのサファイアのウエファー 超薄い（100um）サファイアのウエファー 8インチのサファイアのウエファー |
模造されたサファイアの基質（PSS）
2インチのC平面PSS 4インチのC平面PSS |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt SSPのC軸線0.2/0.43mm （DSP&SSP） axis/M axis/R軸線0.43mm
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| 3inch |
DSP/SSPのC軸線0.43mm/0.5mm
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| 4Inch |
dsp c軸線0.4mm/0.5mm/1.0mm sspのc軸線0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch |
sspのc軸線1.0mm/1.3mmm
dspのc軸線0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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基質のための指定
| オリエンテーション | R平面、C平面、平面、M平面または指定オリエンテーション | ||
| オリエンテーションの許容 | ± 0.1° | ||
| 直径 | 2インチ、3インチ、4インチ、5inch、6インチ、8インチまたは他 | ||
| 直径の許容 | 2インチのための0.1mm、3インチのための0.2mm、4インチのための0.3mm、6インチのための0.5mm | ||
| 厚さ | 0.08mm、0.1mm、0.175mm、0.25mm、0.33mm、0.43mm、0.65mm、1mmまたは他; | ||
| 厚さの許容 | 5μm | ||
| 第一次平らな長さ | 2インチのための16.0±1.0mm、3インチのための22.0±1.0mm、4インチのための30.0±1.5mm、6インチのための47.5/50.0±2.0mm | ||
| 第一次平らなオリエンテーション | 平面（1 1-2 0）の± 0.2°;C平面（0の0-0 1） ± 0.2°の写し出されたC軸線45 +/- 2° | ||
| TTV | 2インチのための≤7µm、3インチのための≤10µm、4インチのための≤15µm、6インチのための≤25µm | ||
| 弓 | 2インチのための≤7µm、3インチのための≤10µm、4インチのための≤15µm、6インチのための≤25µm | ||
| 前部表面 | Epi磨かれた（RA< 0=""> | ||
| 背部表面 | 良い地面（Ra=0.6μm~1.4μm）またはEpi磨かれた | ||
| 包装 | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる | ||
プロダクトは詳しく述べる
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2inch 3inch 4inch
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