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詳細情報 |
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| 材料: | サファイアのGaN | サイズ: | 2インチ |
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| 厚さ: | 0.43mmのサファイアの4mm | タイプ: | Nタイプのun-doped |
| 適用: | LED | ||
| ハイライト: | 2インチ ガリウム窒化物のウエファー,サファイアの基質ガリウム窒化物のウエファー,LED GaNのウエファー |
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製品の説明
2inch GaNの基質の型板、LeDのためのGaNのウエファー、ldのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの型板、mocvd GaNのウエファー、カスタマイズされたサイズによるGaNの支えがない基質、LEDのためのGaNの小型のウエファー、mocvdガリウム窒化物のウエファー10x10mm、5x5mmの10x5mm GaNのウエファー、GaNの無極性の支えがない基質（平面およびm平面）
SSP 430umのサファイアの基質のMOCVDによる2inch 1um 4umの厚さのGaN AlGaN AlNの層の型板
GaNのウエファーの特徴
- III窒化物（GaN、AlNのイン）
ガリウム窒化物は1種類の広ギャップの化合物半導体である。ガリウム窒化物（GaN）の基質はある
良質のsingle-crystal基質。それは元のHVPE方法および中国の10+yearsのために最初に開発されてしまったウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。GaNの基質は多くの種類の白いLEDのための適用のために、使用され、LD （すみれ色、青および緑）は力および高周波電子デバイスの塗布のためになお、開発進歩した。
禁止された帯域幅は（発光および吸収）紫外、可視ライトおよび赤外線をカバーする。
適用
GaNはLED表示、高エネルギー検出およびイメージ投射のような多くの地域で使用することができる
レーザーの投射の表示、力装置、等。
- レーザーの投射の表示、力装置、等 日付の貯蔵
- エネルギー効率が良い照明 フル カラーのflaの表示
- レーザーProjecttions 高性能の電子デバイス
- 高周波マイクロウェーブ装置 高エネルギー検出および想像するため
- 新しいエネルギーsolorの水素の技術 環境の検出および生物的薬
- 光源のterahertzバンド
指定:
私達のOEMの工場について
私達のFactroy企業の視野
私達は私達の工場を企業にGaNの良質の基質および適用技術に与える。
良質のGaNmaterialはIII窒化物の塗布、例えば長い生命のための抑制の要因である
そして安定性が高いLDs、高い発電および高い信頼性のマイクロウェーブ装置の高い明るさ
そして高性能、省エネLED。
- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
（1）私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
（2）あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 （最初の重量） + USD12.0/kg
Q:受渡し時間は何であるか。
（1） 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か4週労働日数である。
Q:支払う方法か。
100%T/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証。
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-10pcsである。
それは量および技術によって決まる。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達はROHSのレポートを供給し、私達のプロダクトのためのレポートに達してもいい。