• 9.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く
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9.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く

9.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 6H-semi

お支払配送条件:

最小注文数量: 10pcs
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
受渡し時間: 1-6weeks
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 1-50pcs/month
ベストプライス 連絡先

詳細情報

材料: SiCの単結晶 硬度: 9.4
形: カスタマイズされた40X3x0.33mmt 許容: ±0.1mm
適用: 光学 タイプ: 6h-n
抵抗: >1E5 Ω 厚さ: 0.33mm
表面: SSP
ハイライト:

光学ケイ素 カーボン ウエファー

,

9.4硬度のケイ素 カーボン ウエファー

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40x3mmtケイ素 カーボン ウエファー

製品の説明

 

2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質のウエファー、

 

40x3mmtは光学のための形6H-semiのタイプsicのウエファーのケイ素 カーボン破片をカスタマイズした

炭化ケイ素(SiC)の水晶について

 

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。

1. 記述
 

 

力装置企業のSiCの適用

 

ケイ素装置によって比較されて、炭化ケイ素(SiC)力装置は効果的に力の電子システムの高性能、小型化およびライト級選手を達成できる。SiC力装置のエネルギー損失はSi装置の50%だけであり、熱生成はまたケイ素装置の50%だけ、SiC持っているより高い電流密度をである。同じパワー レベルで、SiC力モジュールの容積はケイ素力モジュールのそれよりかなり小さい。理性的な力モジュールIPMに、SiC力装置を使用して、モジュールの容積を一例として取ることは1/3からケイ素力モジュールの2/3に減らすことができる。

 

3つのタイプのSiC力のダイオードがある:ショットキー ダイオード(SBD)、ピン・ダイオードおよび接続点障壁はショットキー ダイオード(JBS)を制御した。ショットキー障壁のために、SBDにより低い接続点障壁の高さがある、従ってSBDに低い前方電圧の利点がある。SiC SBDの出現は250Vからの1200VにSBDの適用範囲を拡大した。さらに、高温の特徴は室温から175 °によい、逆の漏出流れ増加しないC。3kVの上の整流器の適用分野では、SiC PiNおよびSiC JBSのダイオードはケイ素整流器より高い絶縁破壊電圧、速く切り替え速度の、小型および軽い重量による多くの関心を引いた。

 

SiC力MOSFET装置に理想的なゲートの抵抗、高速転換の性能が、低いオン抵抗および安定性が高いある。それは300V以下力装置の分野の優先する装置である。10kVの妨害電圧の炭化ケイ素MOSFETが首尾よく開発されたレポートがある。研究者はSiCのMOSFETsが3kV - 5kVの分野の有利な位置を占めることを信じる。

 

SiCはゲートの両極トランジスター(SiC BJT、SiC IGBT)を絶縁し、SiCのサイリスタ(SiCのサイリスタ)、12のkVの妨害電圧のSiC PタイプIGBTの装置によい前方現在の機能がある。Siの両極トランジスターによって比較されて、SiCの両極トランジスターに低が損失およびより低いturn-on電圧低下を転換する20-50倍ある。SiC BJTはエピタキシアル エミッターBJTに主に分けられ、イオン・インプランテーションのエミッターBJTは10-50の間に、典型的な現在の利益ある。

 

 

特性 単位 ケイ素 SiC GaN
Bandgapの幅 eV 1.12 3.26 3.41
故障分野 MV/cm 0.23 2.2 3.3
電子移動度 cm^2/Vs 1400 950 1500
漂流のvalocity 10^7 cm/s 1 2.7 2.5
熱伝導性 W/cmK 1.5 3.8 1.3

 


 

LEDの企業のSiCの適用

 

現在、サファイア ガラスは光電子工学装置工業で使用される基質材料のための最初の選択であるがサファイアに絶縁体として格子不適当な組み合わせ、熱圧力の不適当な組み合わせ、高い抵抗のようなおよび悪い熱伝導性、克服することができないある欠点がある。従って、SiCの基質の優秀な特徴は多くの注意を引き付け、ガリウム窒化物(GaN)のベースの発光ダイオード(LEDs)および半導体レーザー(LDs)のための基質材料としてより適している。クリー語からのデータは炭化ケイ素の使用が基質LED装置50,000時間までの70%ライト維持率の生命を達成できることを示す。LEDの基質としてSiCの利点:

 

* SiCおよびGaNのエピタキシアルの格子定数は層一致し、化学特徴は互換性がある;

* SiCにGaNのエピタキシアル層の熱拡張係数の近くの優秀な熱伝導性(高の10倍以上サファイアの)がおよびある;

* SiCは縦の構造装置を作るのに使用することができる伝導性の半導体である。2つの電極は表面で配られ、装置の底、サファイアの基質の横の構造によって引き起こされるさまざまな欠点を解決できる;

* SiCは軽い抽出の効率を改善する現在の拡散の層の材料によって現在の拡散の層、ライトを吸収されない要求しない。

4インチは4H炭化ケイ素SiCのウエファーをn添加した

炭化ケイ素(SiC)の基質の指定

炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム

3"の指定インチ

 

 
等級 生産 研究の等級 模造の等級
直径 50.8 mm±0.38 mmか他のサイズ
厚さ 330 μm±25μm
ウエファーのオリエンテーション 軸線: <0001>軸線を離れた6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SIのための±0.5°:4H-N/4H-SIのための4.0° toward1120 ±0.5°
Micropipe密度 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤50 cm-2
抵抗 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
  6H-N 0.02~0.1 Ω·cm
  4/6H-SI >1E5 Ω·cm (90%) >1E5 Ω·cm
第一次平たい箱 {10-10} ±5.0°
第一次平らな長さ 22.2 mm±3.2 mm
二次平らな長さ 11.2mm±1.5 mm
二次平らなオリエンテーション 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から
端の排除 2つのmm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤25μm
荒さ ポーランドRa≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
高輝度ライトでひび どれも 許可される1 ≤ 1mm 1弾の割り当てられる、≤2 mm
高輝度ライトによる六角形の版 累積area≤ 1% 累積area≤ 1% 累積area≤ 3%
高輝度ライトによるPolytype区域 どれも 累積area≤ 2% 累積area≤ 5%
高輝度ライトによる傷 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 1×wafer直径の累積長さへの8つの傷
端の破片 どれも 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ
高輝度ライトによる汚染 どれも
プロダクト表示ショー
9.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く 19.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く 29.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く 39.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く 49.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く 59.4硬度光学Sicはケイ素 カーボン ウエファーを欠く 6
 

ZMKJ Companyについて

 

ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー(炭化ケイ素)をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。

 

FAQ:

Q:船積みおよび費用の方法は何であるか。

:(1)私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れる。

(2)それはない、私達がそれらを出荷するのを助けることができればうまくあなた自身の明白な記述があればである、

貨物は実際の解決に従ってある

 

Q:支払う方法か。

:配達の前のT/T 100%の沈殿物。

 

Q:あなたのMOQは何であるか。

:(1)目録のための、MOQは1pcsである。2-5pcsがそれよりよければ。

(2)カスタマイズされた共通プロダクトのための、MOQは10pcsである。

 

Q:受渡し時間は何であるか。

:(1)標準的なプロダクトのために

目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。

カスタマイズされたプロダクトのため:配達はあなたの後の2 -4週順序の接触である。

 

Q:標準的なプロダクトがあるか。

:在庫の私達の標準的なプロダクト。同様な基質4inch 0.35mmとして。

 

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