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詳細情報 |
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| 材料: | シリコン基板のLNの層 | 層の厚さ: | 300-1000nm |
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| オリエンテーション: | X-CUT | 適用: | 高性能、音響表面フィルタ |
| 適用2: | 5G saw/BAW装置 | RA: | 0.5nm |
| 分離の層: | Sio2 | 分離の層の厚さ: | 300-4000nm |
| 基質: | 525um | サイズ: | 4inch |
| ハイライト: | LiNbO3リチウム ニオブ酸塩のウエファー,4インチのリチウム ニオブ酸塩のウエファー,絶縁体の900nmリチウム ニオブ酸塩 |
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製品の説明
4inch 6inchシリコンの薄片の300-900のnmのリチウム ニオブ酸塩LiNbO3 LNの薄膜（LNOI）
適用の方向:
·電気光学変調器·遅延線
·電気光学Qスイッチ·X-BAR
·段階の変調器装置·非線形光学
·Ferroelectricメモリ素子、記憶装置
独特の指定
| 300-900のnmのリチウム ニオブ酸塩の薄膜（LNOI） | ||||
| 上の機能層 | ||||
| 直径 | 3、4、（6）インチ | オリエンテーション | X、Z、Y等。 | |
| 材料 | LiNbO3 | 厚さ | 300-900 nm | |
| 添加される（任意） | MgO | |||
| 分離の層 | ||||
| 材料 | SiO2 | 厚さ | 1000-4000 nm | |
| 基質 | ||||
| 材料 | Si、LN、水晶、石英ガラス等。 | |||
| 厚さ | 400-500 μm | |||
| 任意電極の層 | ||||
| 材料 | PtのAu、Cr | 厚さ | 100-400 nm | |
| 構造 | SiO2分離の層の上またはの下で | |||
関連のカスタマイズされた薄膜
| カスタマイズされたリチウム ニオブ酸塩及びリチウムTantalateの薄膜 | ||||||||
| 最上層の細部 | 基質の細部 | 最上層の薄膜の細部 | ||||||
| 多層状構造 | 模造された電極及び導波管 | 別の物質的（SiO2/Si、Si、サファイア、水晶等） | PPLN | 特別なサイズ | 電極（Au、Pt、Cr、Al等） | オリエンテーション（バルク ウエファーと同じように） | 添加されて（MgO、Fe、えー、Tm等） | |
| 100-1000 nm LiNbO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| 100-1500 nm LiTaO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
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5-50 um LiNbO3 |
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5-50 um LiTaO3 |
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FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
（1）私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
（2）あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 （最初の重量） + USD12.0/kg
Q:支払う方法か。
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Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-20pcsである。
それは量および技術によって決まる
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。
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