詳細情報 |
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基質: | サファイアのウエファー | 層: | AlNの型板 |
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層の厚さ: | 1-5um | 伝導性のタイプ: | N/P |
オリエンテーション: | 0001 | 適用: | 高い発電/高周波電子デバイス |
適用2: | 5G saw/BAW装置 | ケイ素の厚さ: | 525um/625um/725um |
ハイライト: | 2インチのAlNの型板,5G BAW装置AlNの型板,2インチのサファイアの基質 |
製品の説明
2inch 4iinch 6Inchのサファイアはサファイアの基質にAlNの型板のAlNのフィルムを基づかせていた
5G BAW装置のためのサファイアの基質のAlNの型板の層のウエファーの2inch
適用の AlNの型板
私達のOEMは専有技術のそして芸術PVTの成長リアクターおよび設備状態の連続に開発した
AlNの良質の単一の結晶のウエファー、AlNのtemlpatesの異なったサイズを製造しなさい。私達は少数のworld-leadingの1才である
ハイテク企業自身の完全なAlNの製作のcapaか。AlNの良質のboulesおよびウエファーを作り出し、提供するべきbilities
profesか。成長のリアクターおよびhotzoneの設計から整理される私達の顧客へのsionalサービスそしてターンキー解決
の結晶成長模倣およびシミュレーション、プロセス設計および最適化、
wafering、物質的なcharacterizaか。tion。2019年4月まで、それらは27以上のパテントを適用した(を含むPCT)。
指定
CHのaracteristic指定
他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定
GaN/のAlの₂ Oの₃の基質(4") 4inch | |||
項目 | Un-doped | Nタイプ |
高添加される Nタイプ |
サイズ(mm) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
基質の構造 | サファイア(0001)のGaN | ||
SurfaceFinished | (標準:SSPの選択:DSP) | ||
厚さ(μm) | 4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる | ||
伝導のタイプ | Un-doped | Nタイプ | 高添加されたNタイプ |
抵抗(Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
GaNの厚さの均等性 |
≤±10% (4") | ||
転位密度(cm-2) |
≤5×108 | ||
使用可能な表面積 | >90% | ||
パッケージ | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 |
結晶構造 |
ウルツ鉱 |
格子定数(Å) | a=3.112、c=4.982 |
伝導帯のタイプ | 直接bandgap |
密度(g/cm3) | 3.23 |
表面のmicrohardness (Knoopテスト) | 800 |
融点(℃) | 2750 (N2の10-100棒) |
熱伝導性(W/m·K) | 320 |
バンド ギャップ エネルギー(eV) | 6.28 |
電子移動度(V·s/cm2) | 1100 |
電気故障分野(MV/cm) | 11.7 |
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