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最新の企業 ソリューションについて ケーススタディ:新しい4H/6H-P 3C-N SiC 基板によるZMSHの革新
2024-09-19

ケーススタディ:新しい4H/6H-P 3C-N SiC 基板によるZMSHの革新

背景 ZMSHは長年 シリコンカービッド (SiC) ウェーファーと基板技術のリーダーであり,高周波,高電力,高温,放射線に耐える電子機器高性能電子機器の市場需要が増加し続けているため,ZMSHは研究開発に投資し,新しい世代の4H/6H-P 3C-N SiC結晶基板を投入するこの製品は伝統的な4H/6HポリタイプSiC基質と新しい3C-NSiCフィルムを統合しています.次世代の高電力および高周波電子機器の性能を大幅に向上させる. 既存の製品の分析: 6H-SiCと4H-SiCの結晶基板 製品の特徴 結晶構造: 6H-SiCと4H-SiCの両方には六角結晶構造があります. 6H型は電子移動性がわ...
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