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炭化ケイ素のウエファー

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April 08, 2025
カテゴリー接続: 炭化ケイ素のウエファー
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タグ:
#炭化ケイ素の基質 #sicのウエファー #サファイアのウエファーのケイ素
概要: Discover the High Purity Semi-Insulating HPSI SiC Powder, a 99.9999% purity material essential for power electronics, optoelectronic devices, and high-temperature applications. Learn how this advanced silicon carbide powder drives next-generation semiconductor crystal growth.
関連製品特性:
  • Exceptional purity of ≥ 99.9999% (6N) for high-performance applications.
  • Particle size ranges from 0.5 µm to 10 µm for uniform processing.
  • High resistivity between 10⁵ - 10⁷ Ω*cm for semi-insulating properties.
  • Superior thermal conductivity of ~490 W/m*K for efficient heat dissipation.
  • 大幅なバンドギャップ ~3.26 eV,高電力および高周波デバイスに最適です.
  • Extreme hardness with a Mohs rating of 9.5 for durability.
  • Used in Physical Vapor Transport (PVT) for SiC single crystal growth.
  • Customizable particle size, purity, and doping for specific needs.
FAQ:
  • What is HPSI silicon carbide (SiC) powder used for?
    HPSI SiC powder is used in sandblasting injectors, automotive water pump seals, bearings, pump components, and extrusion dies, leveraging its high hardness, abrasion resistance, and corrosion resistance.
  • HPSI シリコンカーバイド (SiC) 粉末とは何ですか？
    HPSI（高純度焼結）炭化ケイ素粉末は、高度な焼結プロセスを通じて製造された高純度、高密度SiC材料であり、半導体および高性能用途に最適です。
  • Can HPSI SiC powder be customized for specific applications?
    Yes, HPSI SiC powder can be tailored in terms of particle size, purity level, and doping concentration to meet specific industrial or research requirements.
  • How does HPSI SiC powder directly impact semiconductor wafer quality?
    Its purity, particle size, and crystal phase directly determine the quality and performance of semiconductor wafers, ensuring high efficiency and reliability in electronic devices.
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