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SiC wafer

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October 13, 2022
カテゴリー接続: 炭化ケイ素のウエファー
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タグ:
#炭化ケイ素の基質 #sicのウエファー #サファイアのウエファーのケイ素
概要: Discover the high-performance 2 Inch and 4 Inch Dummy Prime SiC Substrate, designed for thermal shock resistance and superior durability. Ideal for semiconductor electronics and high-power LED applications, these silicon carbide wafers come in customizable sizes and types, including 4H-N and 6H-N. Explore the next generation of semiconductor materials with ZMKJ.
関連製品特性:
  • Customizable sizes: 2inch, 3inch, 4inch, and 6inch available.
  • High purity 4H-N and 6H-N type SiC wafers for superior performance.
  • Excellent thermal shock resistance for high-temperature applications.
  • Ideal for semiconductor electronics and high-power LED devices.
  • Available in both N-type and semi-insulating types.
  • Mohs hardness of ≈9.2 for exceptional durability.
  • Thermal conductivity up to 4.9 W/cm*K for efficient heat dissipation.
  • Suitable for high-voltage and high-temperature environments.
FAQ:
  • SiCウエーファーには どんなサイズが用意されているの?
    SiCウエファは2インチ,3インチ,4インチ,6インチサイズでカスタマイズオプションで提供されています.
  • What types of SiC wafers does ZMKJ offer?
    ZMKJ offers 4H-N type, 6H-N type, and semi-insulating SiC wafers, catering to various industrial needs.
  • What is the delivery time for customized SiC wafers?
    For customized products, the delivery time is typically 2-4 weeks after order confirmation.
  • How does the thermal conductivity of SiC wafers benefit applications?
    The high thermal conductivity (up to 4.9 W/cm*K) ensures efficient heat dissipation, making them ideal for high-power and high-temperature devices.
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