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sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアルウエファーのGaNの層
- Model: 6inch 4h-n sicのウエファー
- Min: 5pcs
接触
インゴット成長のための磨かれた100mm SICのエピタキシアル炭化ケイ素のウエファー1mmの厚さ
- Model: カスタマイズされたサイズ
- Min: 5PCS
接触
時計ガラスの光学winowsのためのルビー色のサファイアガラスを添加するCr3+
- Model: Cr3+はサファイアを添加した
- Min: 3pcs
接触
赤い色のレーザー装置のためのチタニウムによって添加されるサファイアによって添加されるサファイアの単結晶レンズ
- Model: チタニウムによって添加されるサファイア
- Min: 3本
接触
高周波Al2o3レーザー装置のためのチタニウムによって添加されるサファイアガラス
- Model: チタニウムの添加されたサファイア
- Min: 3pcs
接触
Al2o3総合的なルビーは光学のためのチタニウムの添加されたサファイアを着色した
- Model: ルビー色の版dia10~dia30mm
- Min: 3pcs
接触
2インチ1000nm AlNのフィルムのケイ素は窒化アルミニウムの半導体の基質を基づかせていた
- Model: UTI-AlN-100
- Min: 3pcs
接触
6インチのサファイアは5G BAW装置のためのAlNの型板のウエファーを基づかせていた
- Model: 2inch AlNサファイア
- Min: 5pcs
接触
4つはサファイアGaNの型板の半導体の基質を基づかせていた
- Model: 4inch GaNサファイア
- Min: 5pcs
接触
6つはシリコン基板にケイ素AlNの型板500nm AlNのフィルムを基づかせていた
- Model: UTI-AlN-150
- Min: 3pcs
接触
30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質
- Model: UTI-AlN-150
- Min: 3pcs
接触
SiはUndopedレーザー装置ガリウム窒化物のウエファーを添加した
- Model: GaN FS罪D C50 SSP 2inch
- Min: 1PCS
接触
4半導体のためのインチの研究の等級0.4mm自由で永続的なGanのウエファー
- Model: 2inch研究の等級
- Min: 2pcs
接触
カスタマイズされたサイズ5x10mm Mの軸線自由な立つHVPEガリウム窒化物のウエファー
- Model: 5x10mmのm軸線
- Min: 10PCS
接触
5Gは直径10mmの単結晶のAlNの半導体の基質を見た
- Model: UTI-AlN-10x10単結晶
- Min: 1PCS
接触
BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー
- Model: UTI-AlN-1inchの単結晶
- Min: 1PCS
接触
900nm 4インチLiNbO3のリチウムニオブ酸塩の非常に薄いフィルムはシリコン基板で層になる
- Model: JZ-4INCH-LNOI
- Min: 2pcs
接触
4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した
- Model: GaAsN 3INCH
- Min: 5pcs
接触
5G BAW装置のための2インチのサファイアの基質のAlNの型板の層のウエファー
- Model: 2inch AlNサファイア
- Min: 5pcs
接触
2"半Nの半導体の基質Siの添加物のガリウム砒素GaAs DSP/SSPのウエファーLD/LED
- Model: GaAsN 4INCH
- Min: 5 袋
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