半導体の基質

中国をリードする半導体ウエハー製品市場

2インチ1000nm AlNのフィルムのケイ素は窒化アルミニウムの半導体の基質を基づかせていた
- Model: UTI-AlN-100
- Min: 3pcs
接触
6インチのサファイアは5G BAW装置のためのAlNの型板のウエファーを基づかせていた
- Model: 2inch AlNサファイア
- Min: 5pcs
接触
4つはサファイアGaNの型板の半導体の基質を基づかせていた
- Model: 4inch GaNサファイア
- Min: 5pcs
接触
6つはシリコン基板にケイ素AlNの型板500nm AlNのフィルムを基づかせていた
- Model: UTI-AlN-150
- Min: 3pcs
接触
30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質
- Model: UTI-AlN-150
- Min: 3pcs
接触
5Gは直径10mmの単結晶のAlNの半導体の基質を見た
- Model: UTI-AlN-10x10単結晶
- Min: 1PCS
接触
BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー
- Model: UTI-AlN-1inchの単結晶
- Min: 1PCS
接触
900nm 4インチLiNbO3のリチウムニオブ酸塩の非常に薄いフィルムはシリコン基板で層になる
- Model: JZ-4INCH-LNOI
- Min: 2pcs
接触
4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した
- Model: GaAsN 3INCH
- Min: 5pcs
接触
5G BAW装置のための2インチのサファイアの基質のAlNの型板の層のウエファー
- Model: 2inch AlNサファイア
- Min: 5pcs
接触
2"半Nの半導体の基質Siの添加物のガリウム砒素GaAs DSP/SSPのウエファーLD/LED
- Model: GaAsN 4INCH
- Min: 5 袋
接触
2INCH 3INCH 4Inchの半LEDのためのGaAsの基質を絶縁するUndopedガリウム砒素のウエファー
- Model: 半4inch
- Min: 5 袋
接触
OEM Dia 25.4mmの単結晶GEの光学レンズ
- Model: dia25.4*3mmt
- Min: 10pcs
接触
3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質
- Model: 2インチINPウエファー
- Min: 3PCS
接触
厚い650um 4インチの単結晶INP半導体の基質
- Model: INP
- Min: 3PCS
接触
2-4inch N/Pのタイプ半導体の基質のInAsのモノクリスタル水晶基質のウエファー
- Model: インジウムのヒ化物(InAs)
- Min: 3本
接触
ガリウムアンチモン化物のGaSbの基質、半導体のための単結晶のモノクリスタル
- Model: GASb
- Min: 3本
接触
2-6インチの半導体の基質LiNbO3の単結晶の基質のウエファー
- Model: LN
- Min: 25個
接触
Y-42°のLTリチウムのTantalate LiTaO3の水晶、Fe+は300um基質のウエファーをのための見ました光学を添加しました
- Model: LT
- Min: 25個
接触
産業半導体の基質S Fe Znによって添加されるINPリン化インジウムの単結晶のウエファー
- Model: 2-4inch INP
- Min: 3本
接触

1
2
»

カテゴリー

サファイアの基質

サファイア光学Windows

サファイアガラスの時計ケース

サファイアの管

企業情報

会社概要

沿革

サービス

チーム

会社案内

生産ライン

のOEM / ODM

研究開発

お問い合わせ

	SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
	Rm5-616、NO.851のDianshanhuの道;Qingpu区域;上海city//201799
	86--15801942596
	eric_wang@zmsh-materials.com

で私たちをみつけて

地図

プライバシー政策

携帯サイト

中国良い品質サファイアの基質サプライヤー . © 2019 - 2021 sapphire-substrate.com . All Rights Reserved.