ブランド名:	ZMKJ
型番:	UTI-AlN-100
MOQ:	3pcs
価格:	by case
パッケージの詳細:	クリーンルームの単一のウエファーの容器
支払条件:	T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

詳細情報

製品説明

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起源の場所:

中国

基質:

シリコンの薄片

層:

AlNの型板

層の厚さ:

200-1000nm

伝導性のタイプ:

N/P

オリエンテーション:

0001

適用:

高い発電/高周波電子デバイス

適用2:

5G saw/BAW装置

ケイ素の厚さ:

525um/625um/725um

供給の能力:

50PCS/Month

ハイライト:

AlNのフィルムの半導体の基質

AlNの窒化アルミニウムの基質

1000nm窒化アルミニウムのウエファー

製品説明

4inch 6inchシリコン基板のケイ素ベースのAlNの型板500nm AlNのフィルム

適用の AlNの型板

ケイ素ベースの半導体技術は限界に達し、未来の条件を満たすことができなかった

電子デバイス。典型的な一種の3rd/4th生成の半導体材料として、窒化アルミニウム（AlN）は持っている

広いbandgap、高い熱伝導性のような優秀で物理的な、化学特性は、高い故障ファイルした、

高い電子移動性および腐食/放射抵抗は、および光電子工学装置のための完全な基質である、

無線周波数（RF）装置、強力な/高周波電子デバイス、等…特に、AlNの基質はである

UV-LED、紫外線探知器の紫外線レーザー、5G強力な/高周波RF装置のための最もよい候補者および5G SAW/BAW

環境保護で広く使用できる装置、電子工学、無線コミュニケーション、印刷、

生物学、ヘルスケアの、軍および他の分野、紫外線浄化/殺菌のような、紫外線治癒のphotocatalysis、counか。

terfeitの検出、高密度貯蔵、医学のphototherapy、薬剤の発見の、無線およびセキュアコミュニケーション、

宇宙航空/深スペース検出および他の分野。

私達は製造するために専有プロセスおよび技術の連続開発した

AlNの良質の型板。現在、私達のOEMはだれが2-6インチAlNを作り出すことができるか世界的に唯一の会社である

爆発性に会う2020年に300,000部分の容量の大規模な工業生産の機能の型板

UVC-LED、5G無線コミュニケーション、紫外線探知器およびセンサー等からの市場の需要

factroy semiconからの有名な中国の海外専門家によって2016年に革新的なハイテク企業創設したであるか。ductorの企業。

それらは3rd/4th属の開発そして商業化に基幹的事業を焦点を合わせるか。tionの超全体のbandgapの半導体のAlNの基質、

さまざまなハイテク産業のためのAlNの型板、フルオートPVTの成長リアクターおよび関連の製品とサービス。

それはこの分野の全体的なリーダーとして確認された。私達の中心プロダクトは「中国製」に主作戦材料リストしたである。

それらは専有技術のそして芸術PVTの成長リアクターおよび設備状態の連続に開発した

AlNの良質の単一の結晶のウエファー、AlNのtemlpatesの異なったサイズを製造しなさい。私達は少数のworld-leadingの1才である

ハイテク企業自身の完全なAlNの製作のcapaか。

AlNの良質のboulesおよびウエファーを作り出し、profesを提供するbilitiesか。私達の顧客へのsionalサービスそしてターンキー解決、

模倣およびシミュレーション、プロセス設計および最適化成長のリアクターおよびhotzoneの設計、の結晶成長から整理される、

wafering、物質的なcharacterizaか。tion。2019年4月まで、それらは27以上のパテントを適用した（を含むPCT）。

指定

独特の指定

モデル UTI-AlN-100S
伝導性のタイプ Siの単結晶のウエファーのC平面
抵抗（Ω） 2500-8000
AlNの構造ウルツ鉱
直径（インチ） 4inch

基質の厚さ（µm） 525 ± 15
AlNのフィルム厚さ（µm） 500nm

オリエンテーション C軸線[0001] +/- 0.2°
使用可能な区域 ≥95%
ひびどれも
FWHM-2θXRD@ （0002） ≤0.22°
FWHM-HRXRD@ （0002） ≤1.5°
表面の粗さ[5×5µm] （nm） RMS≤6.0
TTV （µm） ≤7
弓（µm） ≤30
ゆがみ（µm） -30~30
注:これらの性格描写の結果は用いられる装置やソフトウェアによってわずかに変わるかもしれない

2インチ1000nm AlNのフィルムのケイ素は窒化アルミニウムの半導体の基質を基づかせていた 1

2インチ1000nm AlNのフィルムのケイ素は窒化アルミニウムの半導体の基質を基づかせていた 2

結晶構造	ウルツ鉱
格子定数（Å）	a=3.112、c=4.982
伝導帯のタイプ	直接bandgap
密度（g/cm3）	3.23
表面のmicrohardness （Knoopテスト）	800
融点（℃）	2750 （N2の10-100棒）
熱伝導性（W/m·K）	320
バンドギャップエネルギー（eV）	6.28
電子移動度（V·s/cm2）	1100
電気故障分野（MV/cm）	11.7

2インチ1000nm AlNのフィルムのケイ素は窒化アルミニウムの半導体の基質を基づかせていた 4

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