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詳細情報 |
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| 基質: | サファイアのウエファー | 層: | AlNの型板 |
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| 層の厚さ: | 1-5um | 伝導性のタイプ: | N/P |
| オリエンテーション: | 0001 | 適用: | 高い発電/高周波電子デバイス |
| 適用2: | 5G saw/BAW装置 | ケイ素の厚さ: | 525um/625um/725um |
| ハイライト: | サファイアはAlNの型板を基づかせていた,6インチのサファイアのウエファー,6インチのAlNの型板 |
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製品の説明
2inch 4iinch 6Inchのサファイアはサファイアの基質のサファイアの窓のサファイアのウエファーにAlNの型板のAlNのフィルムを基づかせていた
適用の AlNの型板
ケイ素 ベースの半導体技術は限界に達し、未来の条件を満たすことができなかった
電子デバイス。典型的な一種の3rd/4th生成の半導体材料として、窒化アルミニウム（AlN）は持っている
広いbandgap、高い熱伝導性のような優秀で物理的な、化学特性は、高い故障ファイルした、
高い電子移動性および腐食/放射抵抗は、および光電子工学装置のための完全な基質である、
無線周波数（RF）装置、強力な/高周波電子デバイス、等…特に、AlNの基質はである
UV-LED、紫外線探知器の紫外線レーザー、5G強力な/高周波RF装置のための最もよい候補者および5G SAW/BAW
環境保護で広く使用できる装置、電子工学、無線コミュニケーション、印刷、
生物学、ヘルスケアの、軍および他の分野、紫外線浄化/殺菌のような、紫外線治癒のphotocatalysis、counか。
terfeitの検出、高密度貯蔵、医学のphototherapy、薬剤の発見の、無線およびセキュア コミュニケーション、
宇宙航空/深スペース検出および他の分野。
私達は製造するために専有プロセスおよび技術の連続開発した
AlNの良質の型板。現在、私達のOEMはだれが2-6インチAlNを作り出すことができるか世界的に唯一の会社である
爆発性に会う2020年に300,000部分の容量の大規模な工業生産の機能の型板
UVC-LED、5G無線コミュニケーション、紫外線探知器およびセンサー等からの市場の需要
私達のOEMは専有技術のそして芸術PVTの成長リアクターおよび設備状態の連続に開発した
AlNの良質の単一の結晶のウエファー、AlNのtemlpatesの異なったサイズを製造しなさい。私達は少数のworld-leadingの1才である
ハイテク企業自身の完全なAlNの製作のcapaか。AlNの良質のboulesおよびウエファーを作り出し、提供するべきbilities
profesか。成長のリアクターおよびhotzoneの設計から整理される私達の顧客へのsionalサービスそしてターンキー解決
の結晶成長模倣およびシミュレーション、プロセス設計および最適化、
wafering、物質的なcharacterizaか。tion。2019年4月まで、それらは27以上のパテントを適用した（を含むPCT）。
指定
CHの
aracteristic指定
aracteristic指定
他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定
| GaN/のAlの₂ Oの₃の基質（4"） 4inch | |||
| 項目 | Un-doped | Nタイプ |
高添加される Nタイプ |
| サイズ（mm） | Φ100.0±0.5 （4"） | ||
| 基質の構造 | サファイア（0001）のGaN | ||
| SurfaceFinished | （標準:SSPの選択:DSP） | ||
| 厚さ（μm） | 4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる | ||
| 伝導のタイプ | Un-doped | Nタイプ | 高添加されたNタイプ |
| 抵抗（Ω·cm） （300K） | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaNの厚さの均等性 |
≤±10% （4"） | ||
| 転位密度（cm-2） |
≤5×108 | ||
| 使用可能な表面積 | >90% | ||
| パッケージ | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | ||
| 結晶構造 |
ウルツ鉱 |
| 格子定数（Å） | a=3.112、c=4.982 |
| 伝導帯のタイプ | 直接bandgap |
| 密度（g/cm3） | 3.23 |
| 表面のmicrohardness （Knoopテスト） | 800 |
| 融点（℃） | 2750 （N2の10-100棒） |
| 熱伝導性（W/m·K） | 320 |
| バンド ギャップ エネルギー（eV） | 6.28 |
| 電子移動度（V·s/cm2） | 1100 |
| 電気故障分野（MV/cm） | 11.7 |
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