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| ブランド名: | ZMKJ |
| 型番: | 2inch AlNサファイア |
| MOQ: | 5pcs |
| 価格: | by case |
| パッケージの詳細: | クリーン ルームの単一のウエファーの容器 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal |
2inch 4iinch 6Inchのサファイアはサファイアの基質のサファイアの窓のサファイアのウエファーにAlNの型板のAlNのフィルムを基づかせていた
aracteristic指定
他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定
| GaN/のAlの₂ Oの₃の基質（4"） 4inch | |||
| 項目 | Un-doped | Nタイプ |
高添加される Nタイプ |
| サイズ（mm） | Φ100.0±0.5 （4"） | ||
| 基質の構造 | サファイア（0001）のGaN | ||
| SurfaceFinished | （標準:SSPの選択:DSP） | ||
| 厚さ（μm） | 4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる | ||
| 伝導のタイプ | Un-doped | Nタイプ | 高添加されたNタイプ |
| 抵抗（Ω·cm） （300K） | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaNの厚さの均等性 |
≤±10% （4"） | ||
| 転位密度（cm-2） |
≤5×108 | ||
| 使用可能な表面積 | >90% | ||
| パッケージ | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | ||
| 結晶構造 |
ウルツ鉱 |
| 格子定数（Å） | a=3.112、c=4.982 |
| 伝導帯のタイプ | 直接bandgap |
| 密度（g/cm3） | 3.23 |
| 表面のmicrohardness （Knoopテスト） | 800 |
| 融点（℃） | 2750 （N2の10-100棒） |
| 熱伝導性（W/m·K） | 320 |
| バンド ギャップ エネルギー（eV） | 6.28 |
| 電子移動度（V·s/cm2） | 1100 |
| 電気故障分野（MV/cm） | 11.7 |
