4つはサファイアGaNの型板の半導体の基質を基づかせていた

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 4inch GaNサファイア
最小注文数量: 5pcs
価格: by case
パッケージの詳細: クリーン ルームの単一のウエファーの容器
受渡し時間: 30days
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力: 50PCS/Month
基質: サファイアのウエファー 層: GaNの型板
層の厚さ: 1-5um 伝導性のタイプ: N/P
オリエンテーション: 0001 適用: 高い発電/高周波電子デバイス
適用2: 5G saw/BAW装置 ケイ素の厚さ: 525um/625um/725um
ハイライト:

5Gはgan型板を見た

,

4" gan型板

,

GaNの半導体の基質

2inch 4inch 4"はサファイアの基質にサファイアGaNの型板のGaNのフィルムを基づかせていた

 

GaNの特性

 

GaNの化学特性

1) 室温で、GaNは水、酸およびアルカリで不溶解性である。

2)非常に遅い率で熱いアルカリ解決で分解される。

3) NaOH、H2SO4およびH3PO4はこれらの低質のGaNの結晶の欠陥の検出に使用することができるすぐにGaNの低質を腐食できる。

4) 高温のHCLまたは水素のGaNは、不安定な特徴を示す。

5) GaNは窒素の下に最も安定している。

GaNの電気特性

1) GaNの電気特性は装置に影響を与える重要な要因である。

2) 添加無しのGaNはすべての場合のnであり、最もよいサンプルの電子集中は4* (10^16)について/c㎡あった。

3) 通常、準備されたPのサンプルは非常に償われる。

GaNの光学的性質

1) 高い帯域幅(2.3~6.2eV)の広いバンド ギャップの化合物半導体材料は、すみれ色赤い黄色緑を、青いカバー、でき、紫外スペクトルは、これまでのところ他のどの半導体材料も達成してないことである。

2) 青およびすみれ色の発光装置で主に使用されて。

GaNの文書の特性

1) 高周波特性は300G Hzで、着く。(Siは10Gである及びGaAsは80Gである)

2) 300℃の高温特性、正常な仕事、非常に適した宇宙航空の、軍および他の高温度の環境のために。

3) 電子漂流に高い飽和速度、低い比誘電率およびよい熱伝導性がある。

4) 酸およびアルカリの抵抗、耐食性は粗い環境で、使用することができる。

5) 高圧特徴、耐衝撃性、高い信頼性。

6) 大きい国は、通信設備非常に熱望している。

 
GaNの適用

GaNの主要な使用法:

1) 発光ダイオード、LED

2) 電界効果トランジスタ、FET

3) 半導体レーザー、LD

 
             指定
 
 
Cの4つはサファイアGaNの型板の半導体の基質を基づかせていた 0aracteristic指定

 

他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定

 

 

     
  GaN/のAlの₂ Oの₃の基質(4") 4inch
項目 Un-doped Nタイプ

高添加される

Nタイプ

サイズ(mm) Φ100.0±0.5 (4")
基質の構造 サファイア(0001)のGaN
SurfaceFinished (標準:SSPの選択:DSP)
厚さ(μm) 4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる
伝導のタイプ Un-doped Nタイプ 高添加されたNタイプ
抵抗(Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaNの厚さの均等性
 
≤±10% (4")
転位密度(cm-2)
 
≤5×108
使用可能な表面積 >90%
パッケージ クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。
 

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結晶構造

ウルツ鉱

格子定数(Å) a=3.112、c=4.982
伝導帯のタイプ 直接bandgap
密度(g/cm3) 3.23
表面のmicrohardness (Knoopテスト) 800
融点(℃) 2750 (N2の10-100棒)
熱伝導性(W/m·K) 320
バンド ギャップ エネルギー(eV) 6.28
電子移動度(V·s/cm2) 1100
電気故障分野(MV/cm) 11.7

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