4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
モデル番号: GaAsN 3INCH
最小注文数量: 5pcs
価格: 100-200usd/pcs
パッケージの詳細: 真空パックによる単一か25pcsカセット ウエファーの場合
受渡し時間: 2-4weeks
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1ヶ月あたりの2000pcs
材料: GaAsの水晶 方法: VGF
サイズ: dia76.2mm thickess: 350um
表面: DSP 適用: 導かれる、ld装置
タイプ: Nタイプ 添加: SI添加される
ハイライト:

SiはGaAs Wafeを添加した

,

半導体の基質GaAs Wafe

,

Nのタイプsspのウエファー

 
 
VFGのmetod Nタイプ2inch/3inch、4inchのNタイプ6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファー
マイクロエレクトロニクスのためのSemi-insulatingタイプ、
 
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(GaAs)ガリウム砒素のウエファー
ガリウム砒素(GaAs)は要素ガリウムおよびヒ素の混合物である。それはIII-Vの直接bandgapの半導体である
亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造を使って。
ガリウム砒素は単一マイクロ波振動数の集積回路のような装置の製造で使用される
マイクロウェーブ集積回路、赤外線発光ダイオード、半導体レーザー、太陽電池および光学窓。[2]
 
GaAsはインジウムのガリウム砒素を含む他のIII-Vの半導体のエピタキシアル成長のための基質材料として頻繁に使用される、
アルミニウム ガリウム砒素および他。
 

GaAsのウエファーの特徴および塗布

特徴適用分野
高い電子移動度発光ダイオード
高周波半導体レーザー
高い変換効率光起電装置
低い電力の消費高い電子移動度のトランジスター
直接バンド ギャップヘテロ接合の両極トランジスター

4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した 0
指定
Undoped GaAs
Semi-Insulating GaAsの指定
 

成長方法VGF
添加物カーボン
ウエファーShape*円形(DIA:2"、3"、4"、および6")
表面のオリエンテーション**(100) ±0.5°

*5」利用できるウエファー要望に応じて
**利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション
 

抵抗(Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
移動性(cm2/V.S)≥ 5,000≥ 4,000
腐食ピッチ密度(cm2)1,500-5,0001,500-5,000

 

ウエファーの直径(mm)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
厚さ(µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
ゆがみ(µm)≤10≤10≤10≤5
の(mm)17±122±132.5±1ノッチ
の/(mm)7±112±118±1N/A
Polish*P/E E/E P/PP/E E/E P/PP/E E/E P/PP/E E/E P/P

*E=Etched、P=Polished
4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した 1

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パッケージ及び配達
4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した 2
4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した 3
4インチNのタイプ15°の半導体の基質SiはGaAsのウエファーSSPを添加した 4
FAQ及び接触
   これはエリックWang、zmkjの販売部長、上海、中国にいる私達の会社である。 私達のサービス時間は月曜日-土曜日からのすべての時間である。私達は時差によって引き起こされる不便のために残念である。どの質問、またappはである何、Skype、私ならオンライン私の電子メールにメッセージを残し、私のWeChatを加えることができれば。私に連絡する歓迎!
 
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。:私達にウエファーの製造のための私達の専有物がある。
 Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。:通常それはない、2-3weeksのためなら商品が在庫にあれば1-5日である、
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。:はい、私達はサイズによって試供品を提供できる。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。:最初のビジネスのために100%は配達の前にある。
 
 
 
 

 

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