sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 6inch 4h-n sicのウエファー
最小注文数量: 5pcs
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
受渡し時間: 1-6weeks
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 1-50pcs/month
材料: SiCの単結晶4h-N 等級: 生産の等級
Thicnkss: 0.4mm Suraface: 重なり合った
適用: ポーランド テストのため 直径: 6inch
色: MPD: <2cm-2>

 

インゴット成長のための4h-n 4inch 6inch dia100mm sicの種のウエファー1mmの厚さ

Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の種結晶のための単結晶(sic)の基質wafersS/CustomziedようにカットのsicのwafersProduction 4inchの等級4H-N 1.5mm SICのウエファー

sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層

 

炭化ケイ素(SiC)の水晶について

 

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。

 

1. 記述
特性 4H SiCの単結晶 6H SiCの単結晶
格子変数 a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
順序の積み重ね ABCB ABCACB
Mohsの硬度 ≈9.2 ≈9.2
密度 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm。拡張係数 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
屈折の索引@750nm

= 2.61無し
ne = 2.66

= 2.60無し
ne = 2.65

比誘電率 c~9.66 c~9.66
熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
熱伝導性(Semi-insulating)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

バンド ギャップ 3.23 eV 3.02 eV
故障の電場 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
飽和漂流速度 2.0×105m/s 2.0×105m/s

SiCの適用

アプリケーション領域

  • 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiN、
  • ダイオード、IGBT、MOSFET
  • 2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料(GaN/SiC)で主にLED使用されて

4インチは4H炭化ケイ素SiCのウエファーをn添加した

4H-N 4inchの直径の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定

   
2inch直径の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定  
等級 ゼロMPDの等級 生産の等級 研究の等級 模造の等級  
 
直径 100. mm±0.2mm  
 
厚さ 1000±25umか他のカスタマイズされた厚さ 
 
ウエファーのオリエンテーション 軸線を離れて:軸線の <1120> 4H-N/4H-SIのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SIのための±0.5°  
 
Micropipe密度 ≤0 cm-2 ≤2 cm-2 ≤5cm-2 ≤30 cm-2  
 
抵抗 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
     
 
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm  
 
第一次平たい箱 {10-10} ±5.0°か丸型 
 
第一次平らな長さ 18.5 mm±2.0 mmか丸型  
 
二次平らな長さ 10.0mm±2.0 mm  
 
二次平らなオリエンテーション 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から  
 
端の排除 1つのmm  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
荒さ ポーランドRa≤1 nm  
 
CMP Ra≤0.5 nm  
 
高輝度ライトでひび どれも 1弾の割り当てられる、≤2 mm 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm  
 
 
高輝度ライトによる六角形の版 累積区域≤1% 累積区域≤1% 累積区域≤3%  
 
高輝度ライトによるPolytype区域 どれも 累積区域≤2% 累積区域≤5%  
 
 
高輝度ライトによる傷 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷  
 
 
端の破片 どれも 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ  

 

生産の表示ショー

sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層 1sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層 2sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層 3

 
カタログ  共通のサイズ  私達の目録リスト
  
 

 

4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー
4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット

4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー

2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
 
 
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット
 
 2-6inchのためのCustomziedのサイズ
 
 

>包装– Logistcs

私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわる。

量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!ほとんど100つの等級のクリーン ルームの単一のウエファー カセットか25pcsカセットによって。

 

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