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詳細情報 |
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| 材料: | SiCの単結晶4h-N | 等級: | 生産の等級 |
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| Thicnkss: | 0.4mm | Suraface: | 重なり合った |
| 適用: | ポーランド テストのため | 直径: | 6inch |
| 色: | 緑 | MPD: | <2cm-2> |
| ハイライト: | 4H-Nタイプ エピタキシアル ウエファー,6インチのエピタキシアル ウエファー,4H-Nタイプepiのウエファー |
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製品の説明
インゴット成長のための4h-n 4inch 6inch dia100mm sicの種のウエファー1mmの厚さ
Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の種結晶のための単結晶（sic）の基質wafersS/CustomziedようにカットのsicのwafersProduction 4inchの等級4H-N 1.5mm SICのウエファー
sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し |
= 2.60無し |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
SiCの適用
アプリケーション領域
- 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiN、
- ダイオード、IGBT、MOSFET
- 2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料（GaN/SiC）で主にLED使用されて
4H-N 4inchの直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
| 6inch NタイプSiCの基質の指定 | ||||
| 特性 | P-MOSの等級 | P-SBDの等級 | Dの等級 | |
| 水晶指定 | ||||
| 結晶形 | 4H | |||
| Polytype区域 | どれも割り当てなかった | Area≤5% | ||
| （MPD） a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
| 六角形の版 | どれも割り当てなかった | Area≤5% | ||
| 六角形のPolycrystal | どれも割り当てなかった | |||
| 包含a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A | |
| 抵抗 | 0.015Ω•cm0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm0.028Ω•cm | |
| （EPD） a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A | |
| （テッド） a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A | |
| （BPD） a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A | |
| （TSD） a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A | |
| （積み重ね欠陥） | ≤0.5%区域 | ≤1%区域 | N/A | |
| 表面の金属汚染 | （Al、Cr、Fe、NIのCU、Zn、Pb、Na、Kのチタニウム、カリフォルニア、V、Mn） ≤1E11 cm-2 | |||
| 機械指定 | ||||
| 直径 | 150.0 mm +0mm/-0.2mm | |||
| 表面のオリエンテーション | Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5° | |||
| 第一次平らな長さ | ± 47.5 mmの1.5 mm | |||
| 二次平らな長さ | 二次平たい箱無し | |||
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20>±1° | |||
| 二次平らなオリエンテーション | N/A | |||
| 直角Misorientation | ±5.0° | |||
| 表面の終わり | C表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP | |||
| ウエファーの端 | 斜角が付くこと | |||
| 表面の粗さ （10μm×10μm） |
Siの表面Ra≤0.20 nm;Cの表面Ra≤0.50 nm | |||
| 厚さa | 350.0μm± 25.0 μm | |||
| LTV （10mm×10mm） a | ≤2μm | ≤3μm | ||
| （TTV） a | ≤6μm | ≤10μm | ||
| （弓） a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
| （ゆがみ） a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
| 表面の指定 | ||||
| 破片/刻み目 | どれも≥0.5mmの幅および深さを割り当てなかった | Qty.2 ≤1.0 mmの幅および深さ | ||
| 傷a （Siの表面、CS8520） |
≤5および累積Length≤0.5×Waferの直径 | ≤5および累積Length≤1.5×のウエファーの直径 | ||
| TUA （2mm*2mm） | ≥98% | ≥95% | N/A | |
| ひび | どれも割り当てなかった | |||
| 汚染 | どれも割り当てなかった | |||
| 端の排除 | 3mm | |||
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4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
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6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
2-6inchのためのCustomziedのサイズ
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>包装– Logistcs
私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわる。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!ほとんど100つの等級のクリーン ルームの単一のウエファー カセットか25pcsカセットによって。