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詳細情報 |
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| 材料: | GaNの単結晶 | サイズ: | 10x10/5x5/20x20mmt |
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| 厚さ: | 0.35mm | タイプ: | N型 |
| 適用する: | 半導体デバイス | ||
| ハイライト: | ganウエファー,ガリウム リン化物のウエファー |
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製品の説明
2インチガナシ基板テンプレート,LED用のガナシ基板,LD用の半導体ガリウムナイトリド用ガナシ基板,mcvdガナシ基板,自由立体ガナシ基板,カスタマイズされたサイズ,LED用の小型ガナシ基板,mocvd ガリウムナイトリドウーフ 10x10mm,5x5mm,10x5mmのガナウエフ,非極性フリースタンドガナウエフ基板 ((a平面とm平面)
GaN・ウェーファー特性
| 製品 | ガリウムナイトリド (GaN) の基板 | ||||||||||||||
| 製品説明: |
サファイア GaN テンプレートは,エピチアルヒドリド蒸気相エピタキシ (HVPE) 方法が提示されている. 反応によって生成される酸は,ガリウムナイトリドの溶融を生成するためにアンモニアと反応する.エピタキシアルGaNテンプレートは,ガリウムナイトリド単結基質を代用するための費用対効果の高い方法です. |
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| 技術パラメータ: |
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| 仕様: |
GaN上軸膜 (C平面),N型,2"*30ミクロン,サファイア GaN上軸膜 (C平面),N型,2"*5ミクロンサファイア. GaN上軸膜 (R平面),N型,2"*5ミクロンサファイア. GaN上軸膜 (M平面),N型,2"*5ミクロンサファイア AL2O3 + GaNフィルム (N型ドーピングされたSi); AL2O3 + GaNフィルム (P型ドーピングされたMg) 注: お客様の要求に応じて,特殊なプラグの向きとサイズ |
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| 標準パッケージ: | 1000のクリーンルーム,100のクリーンバッグ,または単一の箱のパッケージ |
適用する
GaNはLEDディスプレイ,高エネルギー検出,画像処理など多くの分野で使用できます
レーザー投影ディスプレイ,電源装置など
- レーザー投影ディスプレイ,電源装置など
- 日付保存
- エネルギー効率の良い照明
- フルカラーフラディスプレイ
- レーザー投影
- 高効率 の 電子 装置
- 高周波 マイクロ波 装置
- 高エネルギーの検出と想像
- 新エネルギー ソーラー水素技術
- 環境 検知と生物医学
- 光源のテラヘルツ帯
仕様:
| 非極性自由立体ガナ基板 (a平面とm平面) | ||
| ポイント | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| サイズ | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| カスタマイズされたサイズ | ||
| 厚さ | 350 ± 25 μm | |
| オリエンテーション | a平面 ± 1° | m平面 ± 1° |
| TTV | ≤15 μm | |
| ボウ | ≤20 μm | |
| 導管の種類 | N型 | |
| 耐性 (300K) | < 0.5 Ω·cm | |
| 変位密度 | 5×10未満6cm-2 | |
| 使用可能な表面面積 | > 90% | |
| 磨き | 前面:Ra < 0.2nm.エピプリープに磨かれた | |
| 裏面: 細い地面 | ||
| パッケージ | 100級 クリーンルーム環境で,単一のワッフル容器で,窒素の雰囲気の下で梱包します. | |
Q&A
Q: その通りガンワッフルとは?
A: その通りA についてガン・ウーフラー(ガリウムナイトリッド・ウェーファー) は,高性能電子機器に広く使用されている広帯域半導体材料であるガリウムナイトリッドから作られた薄い平らな基板である.電子機器の製造のための基礎であるこの材料は,特に電源電子,電信,電気通信などの産業において特に重要です.LED照明.
Q: その通りなぜガンはシリコンより優れているのか?
A: その通り高性能アプリケーションの多くにおいて,ガリウムナイトリドは,広い帯域(シリコンの1.1eVと比較して3.4eV) で,GaN装置が高圧,温度そして周波数ギャン高効率導きます低温発電そしてエネルギー損失を減らす電気電子機器に最適です急速充電システムそして高周波アプリケーションさらに,GaNはより良い熱伝導性要求条件下でより効率的に動作できるようにする.その結果,GaNベースのデバイスは,そのシリコンの同類よりもコンパクトで,エネルギー効率が高く,信頼性があります.
キーワード:#GaN #ガリウムナイトライド #パワーエレクトロニクス #高性能 #効率 #LED #レーザープロジェクション #エネルギー効率の良い照明 #高周波装置 #非極性GaN #自立性GaN #GaNSubstrates #MOCVD