|
| ブランド名: | zmkj |
| 型番: | GaN FSC U C50 SSP 2inch |
| MOQ: | 10pcs |
| 価格: | 1200~2500usd/pc |
| パッケージの詳細: | 真空パックによる単一のウエファーの箱 |
| 支払条件: | T/T |
2インチガナシ基板テンプレート,LED用のガナシ基板,LD用の半導体ガリウムナイトリド用のガナシ基板,mcvdガナシ基板,自由立体ガナシ基板,カスタマイズされたサイズ,LED用の小型ガナシ基板,mocvd ガリウムナイトリドウーフ 10x10mm,5x5mm,10x5mmのガナウエフ,非極性フリースタンドガナウエフ基板 ((a平面とm平面)
レーザー投影ディスプレイ電源装置のための自由立 GaN ウェーファー
GaN・ウェーファー特性
ガリウムナイトライドは,広いギャップの化合物半導体の一種である. ガリウムナイトライド (GaN) の基板は,
高品質の単結晶基板です 原始のHVPE方法と,中国で10年以上開発されてきた ウェーファー加工技術で作られています特徴は高い結晶性優れた表面質. GaN基質は,白色LEDとLD ((紫,青,緑) の多くの用途に使用されています. さらに,電力および高周波電子機器のアプリケーションの開発が進んでいる.
禁止帯域幅 (発光と吸収) は紫外線,可視光,赤外線をカバーする.
2インチフリースタンドガナ基板の仕様
| n型 | p型 | 半断熱装置 | |
|---|---|---|---|
| n [cm-3] | 10まで19 | - | - |
| p [cm-3] | - | 10まで18 | - |
| p [cm-3] | 10-3-10-2 | 102-103 | 109-1012 |
| [cm]2/Vs] | 150まで | - | - |
| 厚さの総変化 (TTV) /μm | <40 | <40 | <40 |
| 弓/μm | <10 | <10 | <10 |
| エピ準備された表面のX線揺れ曲線のFWHM [arcsec] 100μm x 100μmの割れ目で | <20 | ||
| 変位密度 [cm]-2] | <105 | ||
| 誤導/度数 | 要求に応じて | ||
| 表面塗装 | 切り/磨いたまま 粗末に磨いたもの 光的に磨き (RMS < 3 nm) エピ準備 (RMS <0.5 nm) |
||
この仕様の利点
| 曲線が小さい | 変身 が 少なく なる | もっと 電気 を 運ぶもの | |
| レーザー | より 高い 収穫 | 低しきい電圧 | 高いパワー |
| LED | 効率の向上 (IQE) | ||
| トランジスタ | 低流出電流 | 高いポ | |
適用:
GaNはLEDディスプレイ,高エネルギー検出,画像処理など多くの分野で使用できます
レーザー投影ディスプレイ,電源装置など
私たちの OEM 工場について
私たちのファクトロイ企業ビジョン
高品質のガナリン基板と 応用技術を 工場で提供します
高品質のガナマテリアルがIII-ナトリドの使用を抑制する要因である.例えば長寿命.
高安定性LD,高電力,高信頼性のマイクロ波装置,高明るさ
高効率で省エネのLEDです
-FAQ
Q: あなたは物流とコストを供給することができますか?
(1) 私たちはDHL,Fedex,TNT,UPS,EMS,SFなどを受け入れます.
(2) 宅急便番号があれば 素晴らしいです
貨物=USD25.0 (最初の重量) +USD12.0/kg
Q: 配達時間は?
(1) 2インチ0.33mmのウエーファーなどの標準製品について
備蓄の場合は,注文から5営業日後に配達します.
カスタマイズされた製品については,注文後2〜4週間の配達です.
Q: どうやって支払いますか?
100%T/T,ペイパール,ウェストユニオン,マネーグラム,安全な支払いと貿易保証
Q: MOQは?
(1) 備蓄の場合は,MOQは5pcsです.
(2) カスタマイズされた製品では,MOQは5pcs-10pcsです.
量と技術によって異なります
Q: 材料の検査報告はありますか?
ROHSレポートを供給し,製品へのアクセスレポートを供給することができます.
パッケージ
