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詳細情報 |
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| 硬さ: | 9 モス 尺度 に よる | Melting Point: | >2,000°C |
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| Thermal Conductivity: | ~35 W/m·K | Thermal Expansion: | ~5.3 × 10⁻⁶/K |
| ハイライト: | 半導体 セラミックリフトピン,高純度サファイアリフトピン,サファイアリフトピン |
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製品の説明
半導体用のサファイアリフトピン 陶器リフトピン 高純度サファイアリフトピン
サファイア・リフト・ピンの要約
サファイアリフトピンは,高度な工学部品で,
半導体加工機器,特にウエファー処理用,エピタキシャルMOCVD (金属-有機化学蒸気沉積),PECVD (プラズマ強化化学蒸気沉積) など,および他の高温,真空腐食性のある環境合成サファイアとしても知られる単結晶アルミ酸化物 (Al2O3) から製造されたこれらのリフトピンは,例外的な硬さ,熱安定性,化学的耐性,耐久性.
サファイア リフト ピンの特性
| 資産 | 価値 |
| 硬さ | モーススケールで9 (ダイヤモンドに次ぐ) |
| 溶融点 | >2000°C |
| 熱伝導性 | ~35 W/m·K |
| 熱膨張 | ~5.3 × 10−6/K |
| ヤングのモジュール | ~345 GPa |
| 化学 耐性 | ほとんどの酸,塩基,腐食性ガスに対して無活性 |
| 電気 | 絶好の保温器 |
| 光学透明性 | 紫外線から赤外線 (150nm ∼5.5μm) 透明 |
サファイア リフト ピンは しばしば オーダーメイド デザイン さ れ て い ます
サファイア リフト ピン の 利点
a.高温耐性
サファイアは1,500°Cを超える温度で機械的強度を維持し,他の材料が歪み,酸化,または劣化するエピタキシアル反応器と堆積室に適しています.
(b) 化学的安定性
サファイアは,H2,NH3,HFなどの反応性および腐食性ガスにおいて化学的に惰性であり,CVDおよびエッチング環境における長期的性能を保証する.
(c) 極端 な 硬さ
高表面硬さは,ウエファー接触や機械的な操作による磨きや擦り傷に耐える.これは粒子生成と汚染を最小限に抑える.
d. 寸法 精度
サファイアは,固い容量 (±1μm) に加工され,一貫したウェーファーリフト高さ,位置位置精度,並列信頼性を保証する.
e について低粒子生成
熱循環によって薄れ,または排出ガスになるようなコーティングされた陶器や金属とは異なり,サファイアは,クリーンルームや超純粋なプロセス環境にとって重要な粒子を生成しません.
f.長寿
耐磨性や極端な条件下での安定性により,メンテナンス頻度が低く,設備の稼働時間が長くなります.
サファイアリフトピンの物理画像
サファイア リフト ピン の 用途
サファイアリフトピンは,製造中にワッフルを正確に扱う必要があるさまざまな半導体および先進材料プロセスで使用される.主要な用途には以下のものがある:
a. MOCVDシステム
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GaN,GaAs,およびInPベースの化合物半導体成長
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LEDとレーザーダイオードの生産
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サファイア・ウエフラーとエピ・レディ・サブストラット
(b)PECVDとLPCVDの原子炉
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プラズマベースの薄膜堆積時のウェーファー移転
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マイクロエレクトロニクス,太陽電池,MEMS,フォトニクスで使用
(c)熱処理炉
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高温で焼く,酸化する,拡散する段階
d.ウェッファー検査と処理
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片片を一時的に支えたり操作したりする機械システム
e についてエッチング・クリーニング室
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プレクリーニングや剥製中に化学抵抗性が重要な場合
Q&A
Q:サファイアピンを購入する際には,どのような重要な要素を考慮すべきですか?
A: その通り応用シナリオ
- 物質 的 な 状態: 高温や腐食性環境など,リフトピンが暴露される環境条件を決定する.
- 目的: 特定の用途 (光譜測定,精密儀等) に基づいて適切な設計を選択する.
尺寸と仕様
- 直径 と 長さ: 支えられたり,持ち上げられたりするサンプルの大きさに基づいて,適切な直径と長さを選択します.
- 許容性に関する要求事項: リフトピンが正確性を維持するために,アプリケーションの寸法容量要件を満たすことを確認します.
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