| ブランド名: | ZMSH |
| 型番: | 03 |
| MOQ: | 3 |
| 価格: | 20USD |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T |
シリコンカービッドセラミックフォークは,半導体ウェーファー処理システム,ロボット転送機器,高温処理アプリケーションのために設計された精密設計のセラミック部品です..先進的なシリコンカービッド (SiC) セラミック材料で製造され,優れた機械的硬さ,熱安定性,厳しい化学環境への耐性を備えています.
半導体製造において,ウエファー転送システムは,繰り返し処理作業中に正確な位置付けと安定した機械性能を維持できる部品を必要とします.ロボット腕の端に設置されている, SiCセラミックフォークは,カセット,負荷ポート,真空室,加工機器の間でウエフルを支え,転送します.
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伝統的な金属部品と多くの伝統的な陶器材料と比較して シリコンカービッドは高硬度,低熱膨張,優れた熱伝導性と優れた耐磨性これらの特性により,温度制御,次元安定性および汚染削減が不可欠な要求の高い半導体製造環境に特に適しています..
シリコンカービードは高温で優れた機械性能を維持する.熱安定性により,高熱条件下で動作するウェーファー転送システムと半導体機器に適しています..
SiCセラミクには高熱伝導性があり,効率的な熱伝送を可能にし,部品内の温度梯子を減らすのに役立ちます.これは,熱いウエーファーと熱要求環境を含むアプリケーションで特に有益です.
非常に高い硬さで,シリコンカービッドは磨きや機械的磨損に優れた耐性を備えています.それは,繰り返しワッフル処理作業中にフォークの接触表面と寸法精度を維持するのに役立ちます.
シリコンカービッドは高弾力模様と比較的低密度を組み合わせて,優れた構造硬さを提供します.これは変形と曲線を最小限に抑えるのに役立ちます.特に長くて薄いフォーク構造では.
低熱膨張係数は,温度変動中に次元安定性を維持し,一貫したウェーファー位置付けと転送精度をサポートします.
SiCセラミックは多くの酸,塩基,腐食性化学物質に強い耐性を示しています.化学処理環境にさらされる半導体機器に適しています.特定の材料のグレードと運用条件によって.
シリコンカービッドセラミックは精密磨きされ,表面品質を制御するために磨き上げることができます.適正な表面仕上げは,ワッフル接触および転送中に機械的磨きと粒子の生成を減らすのに役立ちます.
シリコンカービッドセラミックフォークは,主に精密なウェーファー転送と自動処理システムのために設計されています.
半導体ウェーバー転送: 異なる処理ステーション間のシリコンウェーバーのサポートと転送.
ロボット・ウェーファー・ハンドリング:半導体転送ロボットのエンド・エフェクタリストまたはハンドリング・ブレードとして機能する.
真空処理装置: ウェーファー転送モジュールと真空自動化システムで使用される.
高温用途:熱要求の設備でウエファーや基板を処理する.
ワッフルクリーニング機器:自動積載と卸載をサポートする.
精密自動化システム: 高次元安定性を要求する半導体基板および他の繊細な部品を扱う.
客の図面,サンプル,設備の仕様に従ってカスタマイズされたシリコンカービッドセラミックフォークを提供しています.
利用可能なカスタマイズオプションには,以下が含まれます:
圧力をかけないシンター化SiC (SSiC)
反応結合SiC (RBSiC/SiSiC),アプリケーション要件に応じて
カスタマイズされたフォーク長さ,幅,厚さ
一分叉と多分叉の構造
精密マウントホールと設置インターフェース
パーソナライズされたウエファーサポートと接触エリア
バキュームチャネルと吸入孔
精密磨きと表面磨き
パーソナライズされた寸法許容量と平面性要件
異なるSiC製造プロセスは異なる材料特性を生むことができる.したがって,材料の選択は,動作温度,化学的暴露,電気的要件とウエファー接触条件.
下の表は,シリコンカービッドセラミックフォーク製品に関する一般的参照を提供します.実際の仕様は,材料のグレード,製造プロセスおよびカスタマイズされた設計に依存します.![]()
パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| 製品名 | シリコンカービッドセラミックフォーク |
| 材料 | シリコンカービード (SiC) |
| 材料の種類 | SSiC / SiSiC |
| SiC 含有量 | グレードに依存する |
| 色 | ブラック / ダークグレー |
| 密度 | 約3.0~3.2g/cm3 |
| 硬さ | 高い |
| 熱伝導性 | 高い |
| 熱膨張 | 低い |
| 機械的硬さ | すごい |
| 化学 耐性 | すごい |
| 表面塗装 | 粉砕 / 磨いた |
| サイズ | カスタマイズ |
| 処理 | 精密陶器加工 |
| 適用する | 半導体ウエファー処理 |
半導体製造プロセスの進歩に伴い,ウエファー処理部品はより高精度,より良い熱安定性,より長い使用寿命を提供することが期待されています.
シリコンカービッドセラミックは,これらのアプリケーションのためにいくつかの利点を提供します.その高い硬さは,機械的変形を軽減するのに役立ちます.低熱膨張が変化する温度下での次元安定性をサポートしている間高度な硬さと化学的耐性は,要求の高いプロセス環境への適性をさらに高めます.
長い移転刃,高温,化学的侵襲性のある用途では,SiCセラミックは従来のアルミナセラミクよりも利点があります.適正な材料は,実際の設備条件に依存する.
精密加工とカスタマイズされた構造設計により,シリコンカービッドセラミックフォークは,異なるウェーファーサイズを満たすために製造することができます.ロボット構成と半導体機器の要件.
シリコンカービッドセラミックフォークは,半導体ウェーファー処理および自動転送システムで使用される精密セラミック部品である.通常,ロボットアームの端に設置され,異なる処理ステーション間のウエファを支え,転送します..
シリコンカービッドセラミックフォークは,高硬さ,優れた耐磨性,高熱伝導性,低熱膨張性,良質な化学腐食耐性など,いくつかの利点があります.これらの特性により,要求の高い半導体製造環境に適しています..
シリコンカービードは優れた機械的硬さ,熱安定性,厳しい作業条件に対する耐性により選択されます.繰り返し転送作業中に,寸法精度と信頼性の高いウエファー位置を維持するのに役立ちます.
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