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詳細情報 |
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| 材料: | SiCの単結晶4h-semi | 等級: | テスト 等級 |
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| Thicnkss: | 0.35mmか0.5mm | Suraface: | 磨かれたDSP |
| 適用: | エピタキシアル | 直径: | 3inch |
| 色: | 透明 | MPD: | <10cm-2> |
| タイプ: | un-doped高い純度 | 抵抗率: | >1E7 O.hm |
| ハイライト: | 0.35mmの炭化ケイ素のウエファー,4インチの炭化ケイ素のウエファー,SiCの炭化ケイ素のウエファー |
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製品の説明
Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質wafersS/の高い純度un-doped 4H-semi resistivity>1E7 3inch 4inch 0.35mm sicのウエファー
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し |
= 2.60無し |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4H-N 4inchの直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
| 2inch直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 | ||||||||||
| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||||
| 直径 | 100. mm±0.38mm | |||||||||
| 厚さ | 350 μm±25μmか500±25umまたは他のカスタマイズされた厚さ | |||||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 軸線: <0001>4h-semiのための±0.5° | |||||||||
| Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤10cm-2 | ≤30 cm-2 | ||||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4h-semi | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| 第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 第一次平らな長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平らな長さ | 10.0mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | |||||||||
| 端の排除 | 1つのmm | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤15μm/≤30μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | |||||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | |||||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | |||||||
| 高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | |||||||
| 端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |||||||
適用:
1) III-Vの窒化物の沈殿
2) 光電子工学装置
3) 強力な装置
4) 高温装置
5) 高周波力装置
生産の表示ショー
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4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
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6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
2-6inchのためのCustomziedのサイズ
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SiCの適用
アプリケーション領域
- 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiN、
- ダイオード、IGBT、MOSFET
- 2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料（GaN/SiC）で主にLED使用されて
>包装– Logistcs
私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわる。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!ほとんど100つの等級のクリーン ルームの単一のウエファー カセットか25pcsカセットによって。