30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: UTI-AlN-150
最小注文数量: 3pcs
価格: by case
パッケージの詳細: クリーン ルームの単一のウエファーの容器
受渡し時間: 30days
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力: 50PCS/Month
基質: シリコンの薄片 層: AlNの型板
層の厚さ: 200-1000nm 伝導性のタイプ: N/P
オリエンテーション: 0001 適用: 高い発電/高周波電子デバイス
適用2: 5G saw/BAW装置 ケイ素の厚さ: 525um/625um/725um
ハイライト:

AlNの半導体の基質

,

30mm diaのalnの基質

,

30mmのalnは単結晶を

 

直径150mm 8inch 4inch 6inchシリコン基板のケイ素 ベースのAlNの型板500nm AlNのフィルム

 

適用の  AlNの型板
ケイ素 ベースの半導体技術は限界に達し、未来の条件を満たすことができなかった
電子デバイス。典型的な一種の3rd/4th生成の半導体材料として、窒化アルミニウム(AlN)は持っている
広いbandgap、高い熱伝導性のような優秀で物理的な、化学特性は、高い故障ファイルした、
高い電子移動性および腐食/放射抵抗は、および光電子工学装置のための完全な基質である、
無線周波数(RF)装置、強力な/高周波電子デバイス、等…特に、AlNの基質はである
UV-LED、紫外線探知器の紫外線レーザー、5G強力な/高周波RF装置のための最もよい候補者および5G SAW/BAW
環境保護で広く使用できる装置、電子工学、無線コミュニケーション、印刷、
生物学、ヘルスケアの、軍および他の分野、紫外線浄化/殺菌のような、紫外線治癒のphotocatalysis、counか。
terfeitの検出、高密度貯蔵、医学のphototherapy、薬剤の発見の、無線およびセキュア コミュニケーション、
宇宙航空/深スペース検出および他の分野。
私達は製造するために専有プロセスおよび技術の連続開発した
AlNの良質の型板。現在、私達のOEMはだれが2-6インチAlNを作り出すことができるか世界的に唯一の会社である
爆発性に会う2020年に300,000部分の容量の大規模な工業生産の機能の型板
UVC-LED、5G無線コミュニケーション、紫外線探知器およびセンサー等からの市場の需要
 
私達は標準化された10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm良質窒素を現在顧客に与える
アルミニウム単結晶の基質プロダクトを、また無極性10-20mmを顧客に与えることができる
M平面の窒化アルミニウムの単結晶の基質、または標準外5mm-50.8mmを顧客にカスタマイズするため
磨かれた窒化アルミニウムの単結晶の基質。このプロダクトは上限の基質材料として広く利用されている
UVC-LEDの破片、紫外線探知器、紫外線レーザーおよびさまざまな高い発電で使用される
/Highの温度/高周波電子デバイス分野。
 
 
             指定
 
独特の指定
  • モデル                              UTI AlN 030B単一の水晶
  • 直径                              Dia30±0.5mm;
  • 基質の厚さ(µm)                   400 ± 50
  • オリエンテーション                            C軸線[0001] +/- 0.5°

     質等級       S等級(極度の)  P等級(生産)   R等級(研究)

 
  • ひび                         どれも           どれも <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>         0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>        0
  • 表面の粗さ[5×5µm] (nm)     Al表面 <0>
  • 使用可能な区域                   90%
  • 吸光度<50>
  •                              
  • 長さのオリエンテーションの第1                    {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                    ≤30
  • 弓(µm)                                    ≤30
  • ゆがみ(µm)                                  -30~30
  • 注:これらの性格描写の結果は用いられる装置やソフトウェアによってわずかに変わるかもしれない
30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質 0

30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質 1

30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質 2

 

30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質 3

30mm Dia AlNの単結晶の半導体の基質 4

 
不純物の要素   C O Si B Na W.P.S Ti Fe
PPMW            27 90 5.4 0.92 0.23 <0>
 
 
結晶構造

ウルツ鉱

格子定数(Å) a=3.112、c=4.982
伝導帯のタイプ 直接bandgap
密度(g/cm3) 3.23
表面のmicrohardness (Knoopテスト) 800
融点(℃) 2750 (N2の10-100棒)
熱伝導性(W/m·K) 320
バンド ギャップ エネルギー(eV) 6.28
電子移動度(V·s/cm2) 1100
電気故障分野(MV/cm) 11.7

 

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