BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: UTI-AlN-1inchの単結晶
最小注文数量: 1PCS
価格: by case
パッケージの詳細: クリーン ルームの単一のウエファーの容器
受渡し時間: 30days
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力: 10PCS/Month
材料: AlNの水晶 厚さ: 400um
オリエンテーション: 0001 適用: 高い発電/高周波電子デバイス
適用2: 5G saw/BAW装置 RA: 0.5nm
磨かれる表面: Alの表面cmp、N表面mp 水晶タイプ: 2H
ハイライト:

AlNの窒化アルミニウムのウエファー

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50.8mmの窒化アルミニウムのウエファー

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BAW装置AlNのウエファー

dia50.8mm 2inch 1inch AlNの基質/AlNの単結晶のウエファー

10x10mmまたは直径10mm dia25.4mm dia30mm、dia45mmのdia50.8mm AlNの基質のAlNの単結晶のウエファー

 

適用の  AlNの型板
 
私達は製造するために専有プロセスおよび技術の連続開発した
AlNの良質の型板。現在、私達のOEMはだれが2-6インチAlNを作り出すことができるか世界的に唯一の会社である
爆発性に会う2020年に300,000部分の容量の大規模な工業生産の機能の型板
UVC-LED、5G無線コミュニケーション、紫外線探知器およびセンサー等からの市場の需要
 
私達は標準化された10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm良質窒素を現在顧客に与える
アルミニウム単結晶の基質プロダクトを、また無極性10-20mmを顧客に与えることができる
M平面の窒化アルミニウムの単結晶の基質、または標準外5mm-50.8mmを顧客にカスタマイズするため
磨かれた窒化アルミニウムの単結晶の基質。このプロダクトは上限の基質材料として広く利用されている
UVC-LEDの破片、紫外線探知器、紫外線レーザーおよびさまざまな高い発電で使用される
/Highの温度/高周波電子デバイス分野。
 
 
独特の指定
  • モデル                              UTI AlN 10x10B単一の水晶
  • 直径                             10x10±0.5mm;またはdia10mm、dia25.4mm、またはdia30mm、またはdia45mm;
  •  
  • 基質の厚さ(µm)                   400 ± 50
  • オリエンテーション                            C軸線[0001] +/- 0.5°

     質等級       S等級(極度の)  P等級(生産)   R等級(研究)

 
  • ひび                         どれも           どれも <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>         0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>        0
  • 表面の粗さ[5×5µm] (nm)     Al表面CMP<0>
  •  
  • 使用可能な区域                   90%
  • 吸光度<50>
  •                              
  • 長さのオリエンテーションの第1                    {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                    ≤30
  • 弓(µm)                                    ≤30
  • ゆがみ(µm)                                  -30~30
  • 注:これらの性格描写の結果は用いられる装置やソフトウェアによってわずかに変わるかもしれない
BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 0

BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 1

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不純物の要素   C O Si B Na W.P.S Ti Fe
PPMW            27 90 5.4 0.92 0.23 <0>
 
 
結晶構造

ウルツ鉱

格子定数(Å) a=3.112、c=4.982
伝導帯のタイプ 直接bandgap
密度(g/cm3) 3.23
表面のmicrohardness (Knoopテスト) 800
融点(℃) 2750 (N2の10-100棒)
熱伝導性(W/m·K) 320
バンド ギャップ エネルギー(eV) 6.28
電子移動度(V·s/cm2) 1100
電気故障分野(MV/cm) 11.7

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