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BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー

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BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー

ブランド名:	ZMKJ
型番:	UTI-AlN-1inchの単結晶
MOQ:	1PCS
価格:	by case
パッケージの詳細:	クリーンルームの単一のウエファーの容器
支払条件:	T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

詳細情報

製品説明

詳細情報

起源の場所:

中国

材料:

AlNの水晶

厚さ:

400um

オリエンテーション:

0001

適用:

高い発電/高周波電子デバイス

適用2:

5G saw/BAW装置

RA:

0.5nm

磨かれる表面:

Alの表面cmp、N表面mp

水晶タイプ:

供給の能力:

10PCS/Month

ハイライト:

AlNの窒化アルミニウムのウエファー

50.8mmの窒化アルミニウムのウエファー

BAW装置AlNのウエファー

製品説明

dia50.8mm 2inch 1inch AlNの基質/AlNの単結晶のウエファー

10x10mmまたは直径10mm dia25.4mm dia30mm、dia45mmのdia50.8mm AlNの基質のAlNの単結晶のウエファー

適用の AlNの型板

私達は製造するために専有プロセスおよび技術の連続開発した

AlNの良質の型板。現在、私達のOEMはだれが2-6インチAlNを作り出すことができるか世界的に唯一の会社である

爆発性に会う2020年に300,000部分の容量の大規模な工業生産の機能の型板

UVC-LED、5G無線コミュニケーション、紫外線探知器およびセンサー等からの市場の需要

私達は標準化された10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm良質窒素を現在顧客に与える
アルミニウム単結晶の基質プロダクトを、また無極性10-20mmを顧客に与えることができる
M平面の窒化アルミニウムの単結晶の基質、または標準外5mm-50.8mmを顧客にカスタマイズするため
磨かれた窒化アルミニウムの単結晶の基質。このプロダクトは上限の基質材料として広く利用されている
UVC-LEDの破片、紫外線探知器、紫外線レーザーおよびさまざまな高い発電で使用される
/Highの温度/高周波電子デバイス分野。

独特の指定

モデル UTI AlN 10x10B単一の水晶
直径 10x10±0.5mm;またはdia10mm、dia25.4mm、またはdia30mm、またはdia45mm;

基質の厚さ（µm） 400 ± 50
オリエンテーション C軸線[0001] +/- 0.5°

質等級 S等級（極度の） P等級（生産） R等級（研究）

ひびどれもどれも <3mm>

FWHM-2θXRD@ （0002）<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ （10-12）<100><200> 0
表面の粗さ[5×5µm] （nm） Al表面CMP<0>

使用可能な区域 90%
吸光度<50>

長さのオリエンテーションの第1 {10-10} ±5°;
TTV （µm） ≤30
弓（µm） ≤30
ゆがみ（µm） -30~30
注:これらの性格描写の結果は用いられる装置やソフトウェアによってわずかに変わるかもしれない

BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 1

BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 2

BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 3

BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 4

不純物の要素 C O Si B Na W.P.S Ti Fe

PPMW 27 90 5.4 0.92 0.23 <0>

結晶構造	ウルツ鉱
格子定数（Å）	a=3.112、c=4.982
伝導帯のタイプ	直接bandgap
密度（g/cm3）	3.23
表面のmicrohardness （Knoopテスト）	800
融点（℃）	2750 （N2の10-100棒）
熱伝導性（W/m·K）	320
バンドギャップエネルギー（eV）	6.28
電子移動度（V·s/cm2）	1100
電気故障分野（MV/cm）	11.7

BAW装置Dia 50.8mm 1インチのAlNの窒化アルミニウムのウエファー 5

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