TFLN(絶縁体上薄膜ニオブ酸リチウム)およびTFLT(絶縁体上薄膜タンタル酸リチウム)は、高度なスマートカット(イオン切断)技術を用いて絶縁体基板上に作製された高品質な単結晶薄膜です。これらの材料は、ニオブ酸リチウム(LiNbO₃)およびタンタル酸リチウム(LiTaO₃)の優れた固有特性と薄膜集積の利点を組み合わせ、コンパクトで高性能なフォトニックデバイスを実現します。
結晶薄膜を絶縁プラットフォームに集積することで、TFLNとTFLTは優れた光閉じ込め、低伝搬損失、最新の半導体製造プロセスとの互換性を提供し、次世代集積フォトニクスに最適です。
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TFLNとTFLTは、両方ともその強力な電気光学効果と非線形光学効果に基づいて動作します。
| 特性 | TFLN | TFLT |
|---|---|---|
| 電気光学性能 | 優れている | 良好 |
| 非線形効率(χ⁽²⁾) | 非常に強い | 強い |
| 透明範囲 | 可視光–近赤外線 | 中赤外線まで拡張 |
| レーザー損傷閾値 | 高い | 非常に高い |
| 熱安定性 | 良好 | 優れている |
| コアアプリケーション | 高速・量子フォトニクス | 赤外線・高出力システム |
Q1:TFLNとTFLTの主な違いは何ですか?
TFLNは超高速電気光学変調と量子フォトニクスに焦点を当てていますが、TFLTは中赤外線アプリケーションと高出力光学環境でより優れた性能を発揮します。
Q2:これらの材料は半導体製造と互換性がありますか?
はい、TFLNとTFLTはどちらもCMOSプロセスと完全に互換性があり、大規模な集積を可能にします。
Q3:TFLNは量子アプリケーションに使用できますか?
はい、その強いχ⁽²⁾非線形性により、エンタングル光子対の生成や量子周波数変換に最適です。