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詳細情報 |
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| 基質: | GaNサファイア | 層: | GaNの型板 |
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| 層の厚さ: | 1-5um | 伝導性のタイプ: | N/P |
| オリエンテーション: | 0001 | 適用: | 高い発電/高周波電子デバイス |
| 適用2: | 5G saw/BAW装置 | ケイ素の厚さ: | 525um/625um/725um |
| ハイライト: | GaNの型板の半導体の基質,2"サファイアによって基づく半導体の基質,GaN SiC半導体の基質 |
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製品の説明
2inch 4inch 4" 2"はサファイアの基質のGaNサファイアのGaNのウエファーのGaNの基質のGaNの窓にサファイアGaNの型板のGaNのフィルムを基づかせていた
1) 室温で、GaNは水、酸およびアルカリで不溶解性である。
2）非常に遅い率で熱いアルカリ解決で分解される。
3) NaOH、H2SO4およびH3PO4はこれらの低質のGaNの結晶の欠陥の検出に使用することができるすぐにGaNの低質を腐食できる。
4) 高温のHCLまたは水素のGaNは、不安定な特徴を示す。
5) GaNは窒素の下に最も安定している。
GaNの電気特性
1) GaNの電気特性は装置に影響を与える重要な要因である。
2) 添加無しのGaNはすべての場合のnであり、最もよいサンプルの電子集中は4* （10^16）について/c㎡あった。
3) 通常、準備されたPのサンプルは非常に償われる。
GaNの光学的性質
1) 高い帯域幅（2.3~6.2eV）の広いバンド ギャップの化合物半導体材料は、すみれ色赤い黄色緑を、青いカバー、でき、紫外スペクトルは、これまでのところ他のどの半導体材料も達成してないことである。
2) 青およびすみれ色の発光装置で主に使用されて。
GaNの文書の特性
1) 高周波特性は300G Hzで、着く。（Siは10Gである及びGaAsは80Gである）
2) 300℃の高温特性、正常な仕事、非常に適した宇宙航空の、軍および他の高温度の環境のために。
3) 電子漂流に高い飽和速度、低い比誘電率およびよい熱伝導性がある。
4) 酸およびアルカリの抵抗、耐食性は粗い環境で、使用することができる。
5) 高圧特徴、耐衝撃性、高い信頼性。
6) 大きい国は、通信設備非常に熱望している。
GaNの主要な使用法
1) 発光ダイオード、LED
2) 電界効果トランジスタ、FET
3) 半導体レーザー、LD
| 結晶構造 |
ウルツ鉱 |
| 格子定数（Å） | a=3.112、c=4.982 |
| 伝導帯のタイプ | 直接bandgap |
| 密度（g/cm3） | 3.23 |
| 表面のmicrohardness （Knoopテスト） | 800 |
| 融点（℃） | 2750 （N2の10-100棒） |
| 熱伝導性（W/m·K） | 320 |
| バンド ギャップ エネルギー（eV） | 6.28 |
| 電子移動度（V·s/cm2） | 1100 |
| 電気故障分野（MV/cm） | 11.7 |