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詳細情報 |
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| 材料: | SiCの単結晶の4H-Nタイプ | 等級: | ゼロ、研究およびDunmyの等級 |
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| Thicnkss: | 0.1 0.2 0.3 0.35 0.43 0.5 | 適用: | 新しいエネルギー車、5Gコミュニケーション |
| 直径: | 2-8inchか10x10mmt、5x10mmt: | 色: | 緑茶 |
| ハイライト: | 4inch炭化ケイ素のウエファー,炭化ケイ素の窓の基質,正方形SiCのウエファー |
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製品の説明
炭化ケイ素のウエファーの販売Sicの版のシリコンの薄片の種の成長6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mmの磨かれた炭化ケイ素sicの基質の破片のウエファーの販売4inch 6inchの種sicのウエファー1.0mmの厚さ4h-N SICの炭化ケイ素のウエファーの平らなオリエンテーション企業のための光学1/2/3インチSICのウエファー
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、またはカーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温、高い電圧、または両方で作動する半導体の電子工学装置で使用される。SiCはまた重要なLEDの部品の1つである、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
1. 記述
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特性
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4H SiCの単結晶
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6H SiCの単結晶
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格子変数
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a=3.076 Å c=10.053 Å
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a=3.073 Å c=15.117 Å
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順序の積み重ね
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ABCB
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ABCACB
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Mohsの硬度
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≈9.2
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≈9.2
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密度
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3.21 g/cm3
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3.21 g/cm3
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Therm。拡張係数
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4-5×10-6/K
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4-5×10-6/K
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屈折の索引@750nm
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= 2.61無し
ne = 2.66 |
= 2.60無し
ne = 2.65 |
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比誘電率
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c~9.66
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c~9.66
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熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm）
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a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K |
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熱伝導性（Semi-insulating）
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a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K |
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バンド ギャップ
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3.23 eV
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3.02 eV
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故障の電場
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3-5×106V/cm
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3-5×106V/cm
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飽和漂流速度
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2.0×105m/s
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2.0×105m/s
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高い純度4inchの直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
| 2inch直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 | ||||||||||
| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||||
| 直径 | 50.8 mm±0.2mm | |||||||||
| 厚さ | 330 μm±25μmか430±25um | |||||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:軸線の <1120> 4H-N/4H-SIのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SIのための±0.5° | |||||||||
| Micropipe密度 | ≤0 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| 第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 第一次平らな長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平らな長さ | 10.0mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | |||||||||
| 端の排除 | 1つのmm | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | |||||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | |||||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | |||||||
| 高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | |||||||
| 端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |||||||
SiCの適用
炭化ケイ素（SiC）の水晶に独特で物理的な、電子特性がある。炭化ケイ素は短波の光電子工学のために装置を使用された、高温、放射の抵抗力がある適用基づかせていた。SiCとなされる強力な、高周波電子デバイスはSiおよびGaAsベースの装置より優秀である。SiCの基質のある普及した適用は次ある。
他のプロダクト
8inch SiCのウエファーの模造の等級 2inch SiCのウエファー
包装–兵站学
私達はパッケージ、クリーニング、帯電防止の、および衝撃処置の各細部にかかわっている。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!ほとんど100等級のクリーン ルームの単一のウエファー カセットか25pcsカセットによって。
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