|
詳細情報 |
|||
| 材料: | SiC単結晶 | 等級: | 生産の等級 |
|---|---|---|---|
| 受渡し日: | 3か月 | 適用: | 装置メーカー磨くテストMOS |
| 直径: | 200±0.5mm | MOQ: | 1 |
| ハイライト: | 生産の等級SiCの破片,インゴット磨く炭化ケイ素の基質,200mm SiCの破片 |
||
製品の説明
SiCの基質/ウエファー（150mm、200mm）の炭化ケイ素の陶磁器の優秀なCorrosionSingleの水晶単一の側面はシリコンの薄片sicのウエファーの磨くウエファーの製造業者の炭化ケイ素SiCのウエファー4H-N SIC ingots/200mm SiCのウエファー200mm SiCのウエファーを磨いた
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、またはカーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温、高い電圧、または両方で作動する半導体の電子工学装置で使用される。SiCはまた重要なLEDの部品の1つである、それは強力なLEDsの熱拡散機としてGaNの装置およびサーブを育てるための普及した基質である。
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
これらの挑戦を克服し、良質の200mm SiCのウエファーを得るために、解決は提案される:
200mmの種結晶の準備、適切な温度分野、フロー フィールドおよび調査され、水晶質および拡大のサイズを考慮に入れるように設計されている拡大のassemblwereの点では;200mmに達するまで150mm SiCseedの水晶から始まって、次第にSiCの水晶サイズを拡大するために種結晶の繰り返しを遂行しなさい;Throuchの多数の結晶成長および処理は、次第に水晶expandingareaの水晶質を最大限に活用し、200mmの種結晶の質を改善する。
200mmの伝導性のcrvstalおよび基質の準備のnの言葉。研究は大型の結晶成長のための温度のfielandのフロー フィールドの設計を最大限に活用したり、200mm伝導性SiCの結晶成長およびcontroldoping均等性を行なう。水晶の荒い処理し、形成の後で、標準的な直径との8インチ電気で伝導性4H-SiCingotは得られた。、切断の後、のまたはそう厚さ525umのSiC 200mmwafersを得るために処理する磨くことひく。
SiCの適用
SiCの物理的な、電子特性、ケイ素の炭化物ベースの装置が原因で短波の光電子工学、高温、およびSiおよびGaAsベースの装置によって比較される強力な/高周波電子デバイス抵抗力がある放射のためによく適している。
光電子工学装置
-
SiCベースの装置はある
-
低い格子不適当な組み合わせの落下窒化物のエピタキシアル層
-
高い熱伝導性
-
燃焼プロセスの監視
-
各種各様の紫外線検出
-
SiC材料特性、SiCベースの電子工学および装置が原因で高温、高い発電および高い放射の条件の下で働くことができる非常に敵の環境で働くことができる