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詳細情報 |
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| 材料: | サファイアの単結晶Al2O3 99.999% | オリエンテーション: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
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| 表面: | SSP DSPか粉砕 | 厚さ: | 0.17mm、0.5mmまたは他 |
| 適用: | 導かれるか、または光学ガラス | 成長方法: | KY |
| サイズ: | 4inch DIA100mm | パッケージ: | 25/Cassette |
| ハイライト: | 4inchサファイアのウエファーの基質のキャリア,単結晶Al2O3のサファイアの基質,単一の側面の磨かれた基質のキャリア |
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製品の説明
4inch 101.6mmのサファイアのウエファーの基質のキャリアの単一の側面は単結晶Al2O3を磨いた
約総合的なサファイア ガラス
サファイアはアルミナの単結晶で、ダイヤモンドの後に実際のところ最も二番目の堅い材料、である。サファイアに、衝突の抵抗が高力、よく軽い伝送耐久性、耐食性をあり、高温および高圧抵抗、biocompatibilityは半導体の光電子工学装置、サファイアの電気特性の生産のための理想的な基質材料それを白くおよび青LEDの生産のための基質材料にならせるである。
私達の会社の長期生産の厚さ≧0.1mm、および形のサイズ≧Φ2の」高精度のサファイアのウエファー。慣習的なΦ2に加えて「、Φ4」、Φ6 「、Φ8」、Φ10 「、Φ12」および他のサイズは連絡する私達の販売スタッフにカスタマイズすることができる。
サファイア（Alの₂のO）は₃の基質一種のLEDの破片のための材料である。安定性が高いがのサファイアの₃原因で高温成長のために適している。最後に、サファイアは機械的に強く、扱い易く、きれいになり易い。従って、サファイアはほとんどのプロセスのために基質として一般に使用される。
サファイアの特性
| 物理的 | |
| 化学式 | Al2O3 |
| 密度 | 3.97 g/cm3 |
| 硬度 | 9 Mohs |
| 融点 | 2050年のoc |
| 最高。使用温度 | 1800-1900oC |
| 機械 | |
| 引張強さ | 250-400 MPa |
| 耐圧強度 | 2000年のMPa |
| ポアソンの比率 | 0.25-0.30 |
| ヤングの係数 | 350-400 GPa |
| 曲がる強さ | 450-860 MPa |
| 有頂天の係数 | 350-690 MPa |
| 上昇温暖気流 | |
| 線形拡張率（293-323 K）で | 5.0*10-6K-1 （C） ⊥ |
| 6.6*10-6K-1 （C） ∥ | |
| 熱伝導性（298 K）で | 30.3と（m*K） （C） ⊥ |
| 32.5と（m*K） （C） ∥ | |
| 比熱（298 K）で | 0.10 cal*g-1 |
| 電気 | |
| 抵抗（298 K）で | 5.0*1018 Ω*cm （C） ⊥ |
| 1.3-2.9*1019 Ω*cm （C） ∥ | |
| 比誘電率（103 - 109のHz間隔の298 Kで、） | 9.3 （⊥ C） |
| 11.5 （∥ C） | |
総合的なサファイアは物理的な、化学の、電気光学的性質の独特な組合せを表わす透明な単結晶99.99%純粋なAl2O3である:、傷の抵抗高力、高い熱伝導性波長、化学inertnessの広い範囲で透明な硬度（Mohsスケールの9）。
高い水晶完全さ、低い反応および適切な単位格子のサイズはサファイアに青い発光ダイオード（LED）のための半導体工業の優秀な基質をする。
物理学中村修二のノーベル賞受賞者がLEDのために90年代にサファイアの基質を使用してから、ずっとサファイア ガラスのための要求は急速に育っている。
それはテレビの全般照明のような新市場の開発を、裏側の照明、表示、消費者電気器具、大気および宇宙空間および防衛および他の適用運転する
4inchサファイアのウエファーの基質のキャリアの指定
| Specs | 2インチ | 4インチ | 6インチ | 8inch |
| Dia | 50.8 ± 0.1 mm | 100 ± 0.1 mm | 150 ± 0.1 mm | 200 ± 0.1 mm |
| 厚い | 430 ± 25 um | 650 ± 25 um | 1300の± 25 um | 1300の± 25 um |
| RA | RAの≤ 0.3 nm | RAの≤ 0.3nm | RAの≤ 0.3nm | RAの≤ 0.3 nm |
| TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um |
| 許容 | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um |
| 質の表面 | 20/10 | 20/10 | 20/10 | 20/10 |
| 表面国家 | DSP SSPの粉砕 | |||
| 形 | ノッチまたは平坦の円 | |||
| 小さな溝 | 45°のCの形 | |||
| 材料 | Al2O3 99.999% | |||
| N/O | サファイアのウエファー | |||
材料は育ち、方向づけられ、基質はウエファーの1つのまたは両側の非常に滑らかな無傷性のEpi準備ができた表面に製造され、磨かれる。直径のいろいろなウエファーのオリエンテーションおよびサイズ6"まで利用できる。
平面のサファイアの基質は通常均一比誘電率を要求し、非常に特徴を絶縁する雑種のマイクロエレクトロニック適用のために-使用される。
C平面の基質-全Vおよびll-Vlの混合物に、明るく青および緑LEDおよび半導体レーザーのためのGaNのような、使用しであって下さい。
R平面の基質-これらはマイクロエレクトロニックICの適用で使用されるケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために好まれる。
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標準的なウエファー 2インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
3インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 4インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 6インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP |
特別な切口
平面の（1120の）サファイアのウエファー R平面の（1102の）サファイアのウエファー M平面の（1010の）サファイアのウエファー N平面の（1123の）サファイアのウエファー 軸線またはM軸線の方の0.5°~ 4°のoffcutとのC軸線、 他のカスタマイズされたオリエンテーション |
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カスタマイズされたサイズ
10*10mmのサファイアのウエファー 20*20mmのサファイアのウエファー 超薄い（100um）サファイアのウエファー 8インチのサファイアのウエファー |
模造されたサファイアの基質（PSS）
2インチのC平面PSS 4インチのC平面PSS |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt SSPのC軸線0.2/0.43mm （DSP&SSP） axis/M axis/R軸線0.43mm
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| 3inch |
DSP/SSPのC軸線0.43mm/0.5mm
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| 4Inch |
dsp c軸線0.4mm/0.5mm/1.0mm sspのc軸線0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch |
sspのc軸線1.0mm/1.3mmm
dspのc軸線0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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101.6mmの4inchサファイアのウエファーのサファイアの細部
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GaNのウエファー 水晶版 サファイアの保護ガラス サファイアによってカスタマイズされるウエファー