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詳細情報 |
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| 材料: | モノクリスタル炭化ケイ素 | 硬度: | 9.4 |
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| 適用: | MOSおよびSBD | 許容: | ±0.1mm |
| タイプ: | 4h-n 4h-semi 6h-semi | 直径: | 150-160mm |
| 厚さ: | 0.1～15mm | 抵抗: | 0.015~0 028 O cm |
| ハイライト: | モノクリスタルSiCの炭化ケイ素のウエファー,模造の等級の炭化ケイ素のウエファー,モノクリスタルSiCのウエファー |
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製品の説明
6Inch Dia153mm 156mm 159mmモノクリスタルSiCの炭化ケイ素のウエファーの基質の模造の等級
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素の基質は抵抗に従って伝導性のタイプおよびsemi-insulatingタイプに分けることができる。伝導性の炭化ケイ素装置は電気自動車、光起電発電、柵の運輸、データ センタの、充満および他の下部組織で主に使用される。電気自動車工業に伝導性の炭化ケイ素の基質のための巨大な要求があり、現在、Tesla、BYD、NIO、Xiaopengおよび他の新しいエネルギー車の会社は炭化ケイ素の分離した装置かモジュールを使用するために計画した。
半絶縁された炭化ケイ素装置は5Gコミュニケーション、車コミュニケーション、国防の塗布、データ伝送、大気および宇宙空間および他の分野で主に使用される。半絶縁された炭化ケイ素の基質のガリウム窒化物のエピタキシアル層の成長によって、ケイ素 ベースのガリウム窒化物のエピタキシアル ウエファーは5Gコミュニケーションの電力増幅器および国防の無線の探知器のようなRF分野で主に、使用されるマイクロウェーブRF装置に更に作ることができる。
炭化ケイ素の基質プロダクトの製造業は装置の開発、原料の統合、結晶成長、水晶、クリーニングおよびテスト処理する、切断、ウエファーおよび他の多くのリンク含む。原料の点では、松山区のほう素の企業は市場に炭化ケイ素の原料を提供し、小さいバッチ販売を達成した。現代企業の重要な役割を、担うために表される第三世代の半導体材料は新しいエネルギー車および光起電適用の浸透の加速と炭化ケイ素によって炭化ケイ素の基質のための要求屈曲ポイントで案内することを約ある
1. 記述
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項目 |
指定 |
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Polytype |
4H - SiC |
6H- SiC |
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直径 |
2インチ|3インチ|4インチ|6inch |
2インチ|3インチ|4インチ|6inch |
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厚さ |
330 μm | 350 μm |
330 μm | 350 μm |
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伝導性 |
N –タイプ/Semi-insulating |
N –タイプ/Semi-insulating |
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添加物 |
N2 （窒素） V （バナジウム） |
N2 （窒素） V （バナジウム） |
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オリエンテーション |
軸線 <0001> |
軸線 <0001> |
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抵抗 |
0.015 | 0.03オームcm |
0.02 | 0.1オームcm |
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Micropipe密度（MPD） |
≤10/cm2 | ≤1/cm2 |
≤10/cm2 | ≤1/cm2 |
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TTV |
≤ 15のμm |
≤ 15のμm |
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弓/ゆがみ |
≤25 μm |
≤25 μm |
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表面 |
DSP/SSP |
DSP/SSP |
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等級 |
生産/研究の等級 |
生産/研究の等級 |
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水晶積み重ね順序 |
ABCB |
ABCABC |
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格子変数 |
a=3.076A、c=10.053A |
a=3.073A、c=15.117A |
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例えば/eV （バンド ギャップ） |
3.27 eV |
3.02 eV |
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ε （比誘電率） |
9.6 |
9.66 |
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屈折の索引 |
n0 =2.719 ne =2.777 |
n0 =2.707、ne =2.755 |
力装置企業のSiCの適用
ケイ素装置によって比較されて、炭化ケイ素（SiC）力装置は効果的に力の電子システムの高性能、小型化およびライト級選手を達成できる。SiC力装置のエネルギー損失はSi装置の50%だけであり、熱生成はまたケイ素装置の50%だけ、SiC持っているより高い電流密度をである。同じパワー レベルで、SiC力モジュールの容積はケイ素力モジュールのそれよりかなり小さい。理性的な力モジュールIPMに、SiC力装置を使用して、モジュールの容積を一例として取ることは1/3からケイ素力モジュールの2/3に減らすことができる。
3つのタイプのSiC力のダイオードがある:ショットキー ダイオード（SBD）、ピン・ダイオードおよび接続点障壁はショットキー ダイオード（JBS）を制御した。ショットキー障壁のために、SBDにより低い接続点障壁の高さがある、従ってSBDに低い前方電圧の利点がある。SiC SBDの出現は250Vからの1200VにSBDの適用範囲を拡大した。さらに、高温の特徴は室温から175 °によい、逆の漏出流れ増加しないC。3kVの上の整流器の適用分野では、SiC PiNおよびSiC JBSのダイオードはケイ素整流器より高い絶縁破壊電圧、速く切り替え速度の、小型および軽い重量による多くの関心を引いた。
SiC力MOSFET装置に理想的なゲートの抵抗、高速転換の性能が、低いオン抵抗および安定性が高いある。それは300V以下力装置の分野の優先する装置である。10kVの妨害電圧の炭化ケイ素MOSFETが首尾よく開発されたレポートがある。研究者はSiCのMOSFETsが3kV - 5kVの分野の有利な位置を占めることを信じる。
SiCはゲートの両極トランジスター（SiC BJT、SiC IGBT）を絶縁し、SiCのサイリスタ（SiCのサイリスタ）、12のkVの妨害電圧のSiC PタイプIGBTの装置によい前方現在の機能がある。Siの両極トランジスターによって比較されて、SiCの両極トランジスターに低が損失およびより低いturn-on電圧低下を転換する20-50倍ある。SiC BJTはエピタキシアル エミッターBJTに主に分けられ、イオン・インプランテーションのエミッターBJTは10-50の間に、典型的な現在の利益ある。
ZMKJ Companyについて
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
1--SiCのウエファーはどんなサイズであるか。私達に在庫で2inch 3inch 4inch 6inch 8inchが今ある。
2--どの位SiCのウエファーを費用はするか。それはあなたの要求によって決まる
3--炭化ケイ素のウエファーはいかに厚いか。一般的に、SiCのウエファーの厚さは0.35および0.5mmである。私達はまたカスタマイズされて受け入れることを持っている。
4--SiCのウエファーの使用は何であるか。SBD、MOS、および他
FAQ:
Q:船積みおよび費用の方法は何であるか。
:（1）私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れる。
（2）それはない、私達がそれらを出荷するのを助けることができればうまくあなた自身の明白な記述があればである、
貨物は実際の解決に従ってある。
Q:支払う方法か。
:配達の前のT/T 100%の沈殿物。
Q:あなたのMOQは何であるか。
:（1）目録のための、MOQは1pcsである。2-5pcsがそれよりよければ。
（2）カスタマイズされた共通プロダクトのための、MOQは10pcsである。
Q:受渡し時間は何であるか。
:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達はあなたの後の2 -4週順序の接触である。
Q:標準的なプロダクトがあるか。
:在庫の私達の標準的なプロダクト。同様な基質4inch 0.35mmとして。