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詳細情報 |
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| material: | sapphire single crystal Al2O3 99.999% | orientation: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
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| surface: | SSP DSP or Grinding | thickness: | 0.25mm, 0.5mm or 0.43mm |
| application: | led or optical glass | growth method: | ky |
| SIZE: | 4inch DIA100mm | Package: | 25/Cassette |
| ハイライト: | 高い硬度4Inchのサファイアの基質,Ledsの半導体レーザーのサファイアのウエファー,光電子工学のサファイアのウエファー |
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製品の説明
4inch 101.6mmのサファイアのウエファーの基質のキャリアの単一の側面は単結晶Al2O3を磨いた
4inchサファイアのウエファーの基質の適用
4インチのサファイアのウエファーはLED、半導体レーザー、光電子工学装置、半導体デバイスおよび他の分野で広く利用されている。サファイアのウエファーの高く軽い伝送そして高い硬度はそれらに製造の高明るさおよび強力なLEDsのための理想的な基質材料をする。さらに光学Windowsの機械部品を製造するのに、またサファイアのウエファーが等使用することができる。
サファイアの特性
| 物理的 | |
| 化学式 | Al2O3 |
| 密度 | 3.97 g/cm3 |
| 硬度 | 9 Mohs |
| 融点 | 2050年のoc |
| 最高。使用温度 | 1800-1900oC |
| 機械 | |
| 引張強さ | 250-400 MPa |
| 耐圧強度 | 2000年のMPa |
| ポアソンの比率 | 0.25-0.30 |
| ヤングの係数 | 350-400 GPa |
| 曲がる強さ | 450-860 MPa |
| 有頂天の係数 | 350-690 MPa |
| 上昇温暖気流 | |
| 線形拡張率（293-323 K）で | 5.0*10-6K-1 （C） ⊥ |
| 6.6*10-6K-1 （C） ∥ | |
| 熱伝導性（298 K）で | 30.3と（m*K） （C） ⊥ |
| 32.5と（m*K） （C） ∥ | |
| 比熱（298 K）で | 0.10 cal*g-1 |
| 電気 | |
| 抵抗（298 K）で | 5.0*1018 Ω*cm （C） ⊥ |
| 1.3-2.9*1019 Ω*cm （C） ∥ | |
| 比誘電率（103 - 109のHz間隔の298 Kで、） | 9.3 （⊥ C） |
| 11.5 （∥ C） | |
工程:
サファイアのウエファーのための工程は通常次のステップが含まれている:
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高い純度のサファイアの単結晶材料は選ばれる。
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適切なサイズの水晶への切られたサファイアの単結晶材料。
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水晶は高温および圧力によってウエファーの形に処理される。
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ひき、磨く精密は何回も良質の表面の終わりおよび平坦を得る行われる
4inchサファイアのウエファーの基質のキャリアの指定
| Specs | 2インチ | 4インチ | 6インチ | 8inch |
| Dia | 50.8 ± 0.1 mm | 100 ± 0.1 mm | 150 ± 0.1 mm | 200 ± 0.1 mm |
| 厚い | 430 ± 25 um | 650 ± 25 um | 1300の± 25 um | 1300の± 25 um |
| RA | RAの≤ 0.3 nm | RAの≤ 0.3nm | RAの≤ 0.3nm | RAの≤ 0.3 nm |
| TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um |
| 許容 | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um |
| 質の表面 | 20/10 | 20/10 | 20/10 | 20/10 |
| 表面国家 | DSP SSPの粉砕 | |||
| 形 | ノッチまたは平坦の円 | |||
| 小さな溝 | 45°のCの形 | |||
| 材料 | Al2O3 99.999% | |||
| N/O | サファイアのウエファー | |||
材料は育ち、方向づけられ、基質はウエファーの1つのまたは両側の非常に滑らかな無傷性のEpi準備ができた表面に製造され、磨かれる。直径のいろいろなウエファーのオリエンテーションおよびサイズ6"まで利用できる。
平面のサファイアの基質は通常均一比誘電率を要求し、非常に特徴を絶縁する雑種のマイクロエレクトロニック適用のために-使用される。
C平面の基質-全Vおよびll-Vlの混合物に、明るく青および緑LEDおよび半導体レーザーのためのGaNのような、使用しであって下さい。
R平面の基質-これらはマイクロエレクトロニックICの適用で使用されるケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために好まれる。
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標準的なウエファー 2インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP
3インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 4インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 6インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP |
特別な切口
平面の（1120の）サファイアのウエファー R平面の（1102の）サファイアのウエファー M平面の（1010の）サファイアのウエファー N平面の（1123の）サファイアのウエファー 軸線またはM軸線の方の0.5°~ 4°のoffcutとのC軸線、 他のカスタマイズされたオリエンテーション |
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カスタマイズされたサイズ
10*10mmのサファイアのウエファー 20*20mmのサファイアのウエファー 超薄い（100um）サファイアのウエファー 8インチのサファイアのウエファー |
模造されたサファイアの基質（PSS）
2インチのC平面PSS 4インチのC平面PSS |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt SSPのC軸線0.2/0.43mm （DSP&SSP） axis/M axis/R軸線0.43mm
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| 3inch |
DSP/SSPのC軸線0.43mm/0.5mm
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| 4Inch |
dsp c軸線0.4mm/0.5mm/1.0mm sspのc軸線0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch |
sspのc軸線1.0mm/1.3mmm
dspのc軸線0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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101.6mmの4inchサファイアのウエファーのサファイアの細部
他の関連のサファイア プロダクト
同じようなプロダクト:
4インチのサファイアのウエファーに加えて、2インチ、3インチ、6インチまた更により大きいサファイアのウエファーのようなから、選ぶサファイアのウエファーの他のサイズそして形がある。さらに、ledsおよび半導体デバイスを製造するのに使用することができる窒化アルミニウム（AlN）および炭化ケイ素（SiC）のような他の材料がある。