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詳細情報 |
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| Material: | SiC single crystal 4H-N type | Grade: | Dummy /Production grade |
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| Thicnkss: | 6-15mm | Suraface: | LP/as-cut |
| Application: | device maker polishing test | Diameter: | 150.65±0.3mm |
| ハイライト: | 4H-N/セミタイプSiCインゴット、工業用ダミーSiCインゴット、3インチSiCインゴット基板,Industrial Dummy SiC Ingot,3inch SiC Ingot Substrate |
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製品の説明
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