半低い粒子の塗布のために絶縁する高い抵抗の炭化ケイ素のウエファー

製品説明：

ZMSH は、SiC (炭化ケイ素) 基板ウェーハの大手メーカーおよびサプライヤーです。当社のウエハは、高出力・高周波の電子デバイスや発光ダイオード（LED）に最適です。

当社は、2 インチおよび 3 インチの研究グレード炭化ケイ素基板ウェーハを市場で最高の価格で提供しています。LED は、半導体の電子と正孔の組み合わせで構成される省エネルギーの冷光源で、最も一般的に使用される電子部品の 1 つです。

特徴：

技術パラメータ:

炭化ケイ素 (SiC) 基板またはウェーハは、格子パラメータがそれぞれ 6H (a=3.073 Å、c=15.117 Å) および 4H (a=3.076 Å、c=10.053 Å) の 6H または 4H 結晶構造を持つことができます。6H 構造は ABCACB の積層順序を持ち、4H 構造は ABCB を持ちます。製品グレード、研究グレード、またはダミーグレードで入手可能です。

SiC 基板は、バンドギャップが 3.23 eV の N 型または半絶縁性のものにすることができます。SiC 基板のモース硬度は 9.2、熱伝導率は 3.2 ～ 4.9 W/cm.K です。誘電率は e(11)=e(22)=9.66 および e(33)=10.33 です。抵抗率の範囲は、4H-SiC-N (0.015～0.028 Ω・cm)、6H-SiC-N (0.02～0.1 Ω・cm)、4H/6H-SiC-SI (>1E7 Ω・cm) です。包装はクラス100のクリーンバッグを使用し、クラス1000のクリーンルームで行われます。

アプリケーション:

一般に SiC ウェハとして知られる炭化ケイ素ウェハは、自動車エレクトロニクス、光電子デバイス、および産業用途に適した基板の一種です。4H-N型SiC基板と半絶縁性SiC基板が含まれます。これらの炭化ケイ素ウェーハは高温に耐え、高効率の電子回路を作成することができます。

4H-N タイプの SiC 基板は最も広く使用されている種類です。ほとんどのウェーハ材料よりも高い降伏電圧、優れた温度安定性、および低い漏れ電流を実現します。一方、半絶縁性 SiC 基板は漏電率が低くなります。また、時間や温度に対して一定の降伏電圧と、低い抵抗温度係数を備えています。

SiC ウェーハは、エネルギーと効率を重視した設計にとって理想的な選択肢であり、自動車、オプトエレクトロニクス、および産業用途でますます注目を集めています。マイクロ電子デバイスの性能に有益な固有の熱特性と電気特性を備えており、高性能、低電力 ECU および光電子デバイスの開発に広く使用されています。

サポートとサービス:

当社は炭化ケイ素ウェーハ製品に対していくつかのレベルの技術サポートを提供しています。経験豊富なエンジニアと技術者のチームがお客様のあらゆるニーズにお応えします。

• 導入・保守サポート
• トラブルシューティング
• 製品とシステムのアップグレード
• ソフトウェアのサポートとアップデート
• 技術研修とセミナー
• コンサルティングサービス

また、当社はお客様の炭化ケイ素ウェーハ製品が最適なパフォーマンスで動作することを保証するためのさまざまなサービスも提供しています。当社のサービスには以下が含まれます:

• 製品のテストと検証
• オンサイトでの修理と交換
• カスタマイズされた製品ソリューション
• 製品認証とコンプライアンス
• スペアパーツの供給
• 延長保証とサービス契約

梱包と配送:

炭化ケイ素ウェーハの梱包と発送:

炭化ケイ素ウェーハは、輸送中の安全を確保するために保護コンテナに入れて出荷されます。衝撃や振動を軽減するために、梱包には緩衝材を含める必要があります。通常、これらは単一ユニットとして出荷されるため、慎重に取り扱う必要があります。長期保管または高温用途向けに特別なパッケージが用意されています。

炭化ケイ素ウェーハの配送方法はお客様のニーズに応じて異なりますが、通常は宅配便でお送りします。すべての荷物には、内容物、受取人、差出人を明確に示すラベルを付ける必要があります。さらに、宅配業者には通関に必要な書類が提供される必要があります。

よくある質問：