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詳細情報 |
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| 材料: | SiCの単結晶の4H-Nタイプ | 等級: | ゼロ、研究およびDunmyの等級 |
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| Thicnkss: | 0.1 0.2 0.3 0.35 0.43 0.5 | 適用: | 新しいエネルギー車 |
| 直径: | 2-8inchか1x1x0.5mmt、1x1x0.3mmt: | 色: | 緑茶またはtranspraent |
| ハイライト: | 正方形SiC Windows,正方形の炭化ケイ素の基質,4H-Nタイプ炭化ケイ素のウエファー |
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製品の説明
シリコン・カービッド・ウェーバー オプティカル 1/2/3インチ SIC・ウェーバー 販売 シック・プレート シリコン・ウェーバー フラット・オリエンテーション 企業 販売 4インチ 6インチ シード・ウェーバー 10mm 厚さ 4h-N SIC シリコン・カービッド・ウェーファー 種子の成長のための 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm ポリッシュしたシリコン・カービッド・シック・サブストラートチップス ウェーファー
シリコンカービッド (SiC) クリスタルについて
シリコンカーバイド (SiC) は,シリコンと炭素を含む半導体で,化学式はSiCである.SiCは,高温で動作する半導体電子機器に使用される.高電圧SiCはLEDの重要な構成要素の一つであり,GaN装置を育てるための人気のある基板であり,高功率LEDの熱分散器としても機能する.
1記述
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資産
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4H-SiC シングルクリスタル
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6H-SiC シングルクリスタル
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格子パラメータ
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a=3.076 Å c=10.053 Å
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a=3.073 Å c=15.117 Å
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積み重ねの順序
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ABCB
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ABCACB
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モース硬さ
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≈92
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≈92
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密度
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3.21g/cm3
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3.21g/cm3
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熱 膨張係数
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4〜5×10〜6/K
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4〜5×10〜6/K
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屈折指数 @750nm
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2 は 2 です.61
ne = 2 について66 |
2 は 2 です.60
ne = 2 について65 |
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ダイレクトリ常数
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c~966
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c~966
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熱伝導性 (N型,0.02オム/cm)
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a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K |
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熱伝導性 (半絶縁)
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a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K |
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バンドギャップ
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3.23 eV
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3.02 eV
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断裂する電場
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3〜5×106V/cm
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3〜5×106V/cm
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飽和漂流速度
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2.0×105m/s
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2.0×105m/s
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高純度 4インチ直径 シリコンカービッド (SiC) 基板仕様
| 2インチ直径 シリコンカービッド (SiC) 基板仕様 | ||||||||||
| グレード | MPDグレードはゼロ | 生産級 | 研究級 | ダミーグレード | ||||||
| 直径 | 50.8mm±0.2mm | |||||||||
| 厚さ | 330μm±25μmまたは430±25um | |||||||||
| ウェファーの方向性 | 軸外: 4H-N/4H-SI の場合は <1120> ±0.5° 6H-N/6H-SI の場合は <0001> ±0.5° | |||||||||
| マイクロパイプ密度 | ≤0cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤100cm-2 | ||||||
| 耐性 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| 主要フラット | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 主要平面長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平面長さ | 10.0mm±2.0mm | |||||||||
| 二次的な平面方向性 | シリコンが上向き: プライムフラットから90°CW ±5.0° | |||||||||
| エッジ除外 | 1mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランド Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高強度の光による裂け目 | ない | 1 は許容され, ≤2 mm | 累積長 ≤ 10mm,単一の長 ≤ 2mm | |||||||
| 高強度光によるヘックスプレート | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤3% | |||||||
| 高強度光による多型エリア | ない | 累積面積 ≤2% | 累積面積 ≤5% | |||||||
| 高強度の光による傷 | 3 傷 1 × ワッフル直径の累積長 | 円盤直径の累積長に 5 割れ | 円盤直径の累積長に 5 割れ | |||||||
| エッジチップ | ない | 容量 ≤0.5mm | 容量5個,それぞれ ≤1mm | |||||||
SiC 応用
シリコンカービッド (SiC) 結晶は,ユニークな物理的および電子的特性を持っています.シリコンカービッドベースのデバイスは,短波長光電子,高温,放射線耐性のあるアプリケーション. SiCで作られた高電力および高周波の電子デバイスは,SiおよびGaAsベースのデバイスに優れている.以下はSiC基板のいくつかの一般的な用途である.
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