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| ブランド名: | ZMKJ |
| 型番: | 4inchの高さの純度 |
| MOQ: | 1pcs |
| 価格: | 1000-2000usd/pcs by FOB |
| パッケージの詳細: | 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ |
| 支払条件: | トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム |
高純度 4H-N 4インチ 6インチ 直径 150mm シリコンカルビッド シングルクリスタル (sic) 基板 ウェーバー,sic クリスタルインゴットシック半導体基板シリコン・カービッド・クリスタル・ウェーファー/カスタマイズ・カット・シーク・ウェーファー
高純度シリコン・カービッド・ウェーファープライム/ダミー/ウルトラグレード4H・セミ-シシ・シー・ウェーファー 5Gデバイス
シリコンカービッド (SiC) は,カーボリンダムとしても知られており,化学式SiCを持つシリコンと炭素を含む半導体である.SiC は,高温または高電圧で動作する半導体電子機器で使用されますSiCはLEDの重要な構成要素の一つであり,GaN装置を育てるための人気のある基板であり,高功率LEDの熱分散器としても機能する.
高純度4インチ直径のシリコンカービッド (SiC) 基板仕様
4インチ直径 高純度4Hシリコンカービッド基板 仕様
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基板のプロパティ |
生産級 |
研究級 |
ダミーグレード |
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直径 |
100.0 mm+0.0/-0.5mm |
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表面の向き |
{0001} ±0.2° |
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主要的な平面方向性 |
<11-20> ± 5.0 ̊ |
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二次的な平面方向性 |
90.0 ̊CWからPrimary ± 5.0 ̊,シリコンが上向き |
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主要平面長さ |
32.5 mm ±2.0 mm |
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二次平面長さ |
18.0 mm ±2.0 mm |
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ウェッファー・エッジ |
シャムファー |
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マイクロパイプ密度 |
≤5マイクロパイプ/cm2 |
≤10 マイクロパイプ/cm2 |
≤50マイクロパイプ/cm2 |
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高強度光による多型エリア |
許されない |
≤10% 面積 |
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耐性 |
≥1E5オー·cm |
(面積 75%)≥1E5オー·cm |
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厚さ |
350.0 μm ± 25.0 μmまたは 500.0 μm ± 25.0 μm |
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TTV |
ほら10μm |
ほら15 μm |
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身をかがめる(絶対値) |
ほら25 μm |
ほら30 μm |
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ワープ |
ほら45μm |
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表面塗装 |
双面ポリッシュ,Si フェイス CMP(化学磨き) |
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表面の荒さ |
CMP Si Face Ra≤0.5 nm |
N/A |
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高強度の光による裂け目 |
許されない |
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エッジチップ/インデント 拡散照明による |
許されない |
QTYは2<1.0mm 幅と深さ |
QTYは2<1.0mm 幅と深さ |
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総使用面積 |
≥90% |
≥80% |
N/A |
*他の仕様は,顧客に応じてカスタマイズすることができますほら要求事項
6インチ 高純度4H-SiC半絶縁基質 仕様
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プロパティ |
U (Ultra) グレード |
P(生産)グラード |
R(研究)グラード |
D(愚か者)グラード |
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直径 |
150.0 mm±0.25 mm |
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表面の向き |
{0001} ± 0.2° |
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主要的な平面方向性 |
<11-20> ± 5.0 ̊ |
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副次平面方向性 |
N/A |
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主要平面長さ |
47.5 mm ±1.5 mm |
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中等平面 長さ |
何もない |
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ウェッファー・エッジ |
シャムファー |
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マイクロパイプ密度 |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
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高強度光による多型領域 |
何もない |
≤ 10% |
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耐性 |
≥1E7 Ω·cm |
(面積 75%)≥1E7 Ω·cm |
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厚さ |
350.0 μm ± 25.0 μm または 500.0 μm ± 25.0 μm |
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TTV |
ほら10 μm |
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弓 (絶対値) |
ほら40 μm |
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ワープ |
ほら60 μm |
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表面塗装 |
C面:光学磨き,Si面:CMP |
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荒さμm×10μ(m) |
CMP Si 面 Ra<0.5 nm |
N/A |
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高強度の光による裂け目 |
何もない |
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エッジチップ/インデント |
何もない |
Qty≤2,各段の長さと幅<1mm |
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効果的領域 |
≥90% |
≥80% |
N/A |
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* 欠陥制限は,縁の除外領域を除くすべてのウェーファー表面に適用されます.
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4H-Nタイプ/高純度SiCウエファー/インゴット
2インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット
3インチ4H型N型SiCウエファー 4インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット 6インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット |
4H 半断熱/高純度SiCウエーファー 2インチ4H 半絶縁型シシクワフラー
3インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 4インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 6インチ4H 半絶縁型シリコン・ウェーバー |
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6H N型 SiCウエーファー
2インチ 6H N型 SiCウエファー/インゴット |
2-6インチのカスタムサイズ
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