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詳細情報 |
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| 材料: | SiCの単結晶の4H-Nタイプ | 等級: | /Productionの模造の等級 |
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| Thicnkss: | 0.35mm 0.5mm | Suraface: | 磨かれる二重側面 |
| 適用: | 装置メーカーの磨くテスト | 直径: | 200±0.5mm |
| ハイライト: | 200mm研磨シリコンカーバイド、Sicチップ半導体、8インチSic半導体,Sic Chip Semiconductor,8inch Sic Semiconductor |
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製品の説明
注文のサイズの陶磁器の基質/炭化ケイ素の陶磁器の優秀なCorrosionSingleの水晶単一の側面はシリコンの薄片sicのウエファーの磨くウエファーの製造業者の炭化ケイ素SiCのウエファー4H-NSICのインゴット/高い純度4H-N4inch6inchdia150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質のウエファー、sicの水晶インゴットsicの半導体の基質、炭化ケイ素の水晶ウエファーのCustomziedようにカットのsicのウエファーを磨いた
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
物理的な及び電子特性の
広いエネルギーBandgap （eV）
4H SiC:3.26 6H SiC:3.03 GaAs:1.43のSi:1.12
SiCで形作られる電子デバイスは広いエネルギーbandgapのために本質的な伝導の効果から苦労なしでで高温非常に作動できる。また、この特性はSiCが可能な青い発光ダイオードおよびほぼ太陽盲目の紫外線フォトディテクターの製作をする短波ライトを出し、検出するようにする。
高い故障の電界[V/cm （1000ボルト操作のために）]
4H SiC:2.2 x 106* 6H SiC:2.4 x 106* GaAs:3 x 105 Si:2.5 x 105
SiCはアヴァランシェ・ブレークダウンを経ないでSiかGaAsより8倍より大きい上の電圧勾配（か電界に）抗できる。この高い故障の電界はダイオードのような非常に高圧、強力な装置、力のtransitors、力のサイリスタおよびサージ サプレッサー、また高い発電マイクロウェーブ装置の製作を可能にする。さらに、それは装置が非常にすぐそばに置かれるようにし高い装置記録密度を集積回路に提供する。
高い熱伝導性（W/cm·K @ RT）
4H SiC:3.0-3.8 6H SiC:3.0-3.8 GaAs:0.5 Si:1.5
SiCは優秀な熱コンダクターである。熱はSiCを他の半導体材料よりもっと容易に貫流する。実際、室温で、SiCにあらゆる金属より高い熱伝導性がある。この特性はまだSiC装置が非常に高い発電のレベルで作動し、発生する多量の余分な熱を散らすことを可能にする。
高い飽和させた電子漂流速度[cm/sec （@ Eの≥ 2 x 105 V/cm）]
プロダクト ショー:
4H SiC:2.0 x 107 6H SiC:2.0 x 107 GaAs:1.0 x 107 Si:1.0 x 107
SiC装置は高周波でSiCの高い飽和させた電子漂流速度のために（RFおよびマイクロウェーブ）作動できる。
ZMKJ Companyについて
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
FAQ:
Q:船積みおよび費用の方法は何であるか。
:（1）私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れる。
（2）それはない、私達がそれらを出荷するのを助けることができればうまくあなた自身の明白な記述があればである、
貨物は実際の解決に従ってある。
Q:支払う方法か。
:配達の前のT/T 100%の沈殿物。
Q:あなたのMOQは何であるか。
:（1）目録のための、MOQは1pcsである。2-5pcsがそれよりよければ。
（2）カスタマイズされた共通プロダクトのための、MOQは10pcsである。
Q:受渡し時間は何であるか。
:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達はあなたの後の2 -4週順序の接触である。
Q:標準的なプロダクトがあるか。
:在庫の私達の標準的なプロダクト。同様な基質4inch 0.35mmとして。