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詳細情報 |
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| 二次平らな長さ: | 18.0 +/- 2.0mm | 熱膨張係数: | 2.6·10-6°C -1 |
|---|---|---|---|
| 第一次平らな長さ: | 32.5 +/- 2.5mm | 酸素分: | 1.6 × 10^18 原子/cm3 |
| 中級平面方向性:: | 90 度 基本フラットから | RRV: | 8% (6mm) |
| 弓: | 30μm | 電気抵抗性: | 10〜20オムセンチメートル |
| ハイライト: | 太陽電池 シリコン・ウェーファー,高純度 シングルクリスタル シリコン・ウェーバー |
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製品の説明
シリコン・ウェーバー 導電性 太陽電池 太陽電池 パワー 半導体 装置 高度純度
製品説明:
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属性 |
詳細 |
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基板材料 |
単結晶シリコン・ウェーバー |
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主要的な平面方向性 |
<110> +/-1°C |
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二次的な平面方向性 |
90 度 基本フラットから |
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直径 |
100mm +/- 0.5mm |
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酸素含量 |
1.6 × 10^18 原子/cm3 |
|
二次平面長さ |
18.0 +/- 2.0mm |
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熱膨張係数 |
2.6·10-6°C -1 |
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WARP |
30 μm |
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オリエンテーション |
<100><110><000> |
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RRV |
8% (6mm) |
半導体産業の基礎材料です 半導体産業の基礎材料は集積回路 (IC) や他の半導体装置の製造において重要な役割を果たす半導体材料であるシリコンは,優れた電気特性のために選択され,電子部品の製造に理想的です.
シリコン・ウエフルの製造プロセスは,結晶性シリコンの円筒状の積木の成長から始まります.この積木は,薄い切り切りにされ,精密切断技術を用いた円盤状のウエーファー結果として作られるウエファは,次のような製造段階において重要な滑らかで平らな表面を得るため,細心の磨きプロセスを経験します.
シリコンウエファーの特徴の一つは,単結晶構造である.これらのウエファは,通常,単結晶のシリコンから構成される.材料全体に一貫して明確に定義された結晶格子を確保するこの単結晶構造は半導体装置の信頼性と性能に寄与します.
シリコンウエファは,直径が100〜300ミリメートルまでの様々なサイズで提供される.ウエファのサイズ選択は,業界標準と特定の製造要件に依存する.大きめのウエフルは,生産効率とコスト効率を高めます.
半導体製造には 異なる材料をシリコン・ウェーファーに 埋め込み 複素なパターンを フォトリトグラフィーで作り トランジスタやダイオード他の電子部品シリコン・ウェーバーは,これらのマイクロ電子構造の基板として機能し,複雑な回路の統合のための安定した基盤を提供します.
微プロセッサ,メモリ装置,センサー,およびその他の電子部品の生産に広範な応用があります.より強力な半導体装置は,シリコンウェーファー製造技術の進歩を促しました.
微電子の役割に加えて,シリコンウエファは太陽光パネルに使用される太陽電池の開発に不可欠です.シリコン が 太陽 光 を 電源 に 変換 する 能力 に よっ て,再生 できる エネルギー の 応用 に 重要な 材料 に なり ます.
結論として シリコンウエファは 半導体産業にとって 基本的であり 集積回路や半導体装置の 構成要素として機能しています精密 な 製造 と 卓越 し た 電気 特性 は,技術 的 な 進歩 に 貢献 し て い ます現代の世界を動かす革新的な電子製品の生産を可能にします
特徴:
半導体産業の基盤として立っており 高度な電子機器の製造を推進する 数多くの特徴を体現していますシリコン半導体製造の複雑なプロセスにおいて不可欠なものとなる. 半導体材料として,
シリコンウエフルの特徴は シリコンウエフルの単結晶構造です材料全体で均一で組織的な格子構造を確保するこの単一の結晶性性は,後にそれらの上に構築される半導体装置の信頼性と性能に不可欠です.
シリコンウエフルの製造は,結晶性シリコンの円筒状の円筒を培養し始めます.その後,精密切削技術を使用して,この円筒を薄く切ります.円状のウエフラー表面が平らで滑らかになるため,洗練された磨き処理が行われます.この精度レベルは,次の製造ステップの成功のために不可欠です.
Siウエフルは,100から300ミリメートルまでの一般的な直径で,さまざまなサイズで特徴付けられています.ワッフルサイズを選択する際には,業界標準と特定の製造要件が影響します.大きめのウエーファーにより生産効率とコスト効率が向上します
シリコンの伝導性はまた重要な特徴である.半導体材料として,シリコンの伝導性はドーピングとして知られるプロセスによって調節することができる.この特性により,トランジスタなどの様々な電子部品の製造のために電気特性を調整することができます.ダイオードと集積回路
表面の滑らかさはシリコンウエフルの主要な特徴です 細心の磨きにより表面が平らだけでなく滑らかになります精度を要求するフォトリトグラフィーのような後続的なプロセスを容易にする.
熱膨張係数は,シリコンウエファー製造において慎重に考慮されます.他の材料との互換性を確保することで,温度変動時のストレスと変形を防ぐことができます.装置の全体的な安定性に貢献する.
化学的安定性はシリコンウエファーに固有であり,異なる半導体プロセスで発生する様々な化学環境に耐えることができる.この化学的抵抗性により 半導体製造の多用性が向上します.
シリコンウエファーはマイクロ電子の役割以外にも 光伏の分野でも応用できます 太陽電池の基礎として機能します太陽光発電の活用と電気に変換する上で重要な役割を果たしています.
結論として シリコンウエファーは 半導体領域における 精度と多様性を象徴しています組み込み回路や半導体装置の作成には不可欠です現代を定義する技術的な景観に大きく貢献しています
技術パラメータ:
応用:
集積回路 (IC): Si ウェーファは電子機器のコアコンポーネントである集積回路の製造のための基礎材料です.
トランジスタ:半導体装置の重要な電子スイッチであるトランジスタの製造にはシワシウエフが不可欠です
ダイオード:ダイオードの基板として使用されるシワシウエフは,直定特性を持つ半導体装置の作成に貢献します.
マイクロプロセッサ:マイクロプロセッサ,コンピュータや電子機器の処理装置の製造において,シワシウエフは中心的な役割を果たします.
メモリデバイス:Siウエフは,RAMとフラッシュメモリを含む様々なメモリデバイスの製造に使用されます.
太陽電池:シワウエフは太陽電池の基礎材料として機能し,太陽光を電気エネルギーに変換します
光電子機器:シワウエフは,光発光二極管 (LED) や光検出器などの光電子機器の製造に貢献する.
センサー: 圧力,温度,運動感知などのアプリケーションのためのセンサーの製造に使用されます.
MEMS装置:シウエフは加速計や陀螺計を含むマイクロ電気機械システム (MEMS) 装置の製造に使用される.
電力装置: 電力電子機器および電気システムで使用される電力半導体装置の製造において,シワウエフは役割を果たします.
ラジオ周波数 (RF) デバイス:Siウエフは,無線通信と信号処理のためのRFデバイスの作成に使用されます.
マイクロコントローラー:Siウエファは,様々な電子システムで見られるマイクロコントローラの製造に不可欠です.
アナログ回路:電子機器における連続信号処理のためのアナログ回路の製造に使用される.
光ファイバーコンポーネント:Siウエフは光ファイバー通信システムの部品の製造に重要な役割を果たします.
生物医学センサー: 血糖センサーやDNAマイクロアレイを含む生物医学用途のセンサーの製造に使用される.
スマートフォン: Si ウェーファは,様々な機能のためにスマートフォンで使用される半導体チップの生産に貢献します.
自動車電子機器:シウエフは,エンジン制御ユニットを含む自動車電子機器のための半導体部品の製造に使用されます.
消費者電子機器:Siウエファは,テレビ,カメラ,オーディオデバイスなどのさまざまな消費者電子機器に組み込まれています.
ワイヤレス通信機器: Si ウェーファは,ルーターやモデムなどのワイヤレス通信機器で使用されるチップの製造に不可欠です.
デジタル信号プロセッサ (DSP):DSPの製造に使用される,デジタル信号処理アプリケーションのための専門マイクロプロセッサ.
プリント回路板 (PCB): Si ウェーファは電子回路の骨組みである PCB の作成に貢献します.
電気自動車: Si ワッフルは電気自動車システムのための半導体部品の製造に使用されます.
計測装置: 測定・制御のための精密計測装置の製造に使用される.
衛星システム:シ・ウェーファは,衛星通信およびナビゲーションシステムで使用される半導体コンポーネントに役割を果たします.
データ格納装置:Siウエフは,ハードドライブや固体ドライブなどのデータ格納装置の製造に使用される.
電源管理回路:電子システムで使用される電源管理回路では,Siウエファーが極めて重要です.
デジタルカメラ:Siウエフはデジタルカメラの半導体部品の製造に寄与する.
ロボット: ロボットや自動化システムのための半導体部品の製造に使用される.
医療イメージング機器: Si ウェーファは,X線機器のような医療イメージング機器で使用される半導体コンポーネントに役割を果たします.
産業制御システム: Si ウェーファは,産業制御および自動化アプリケーションのための半導体コンポーネントに使用されます.
カスタマイズ:
ブランド名: ZMSH
モデル番号:シワフラー
原産地:中国
オリエンテーション: <100><110><000>
厚さ: 525 Um +/- 20 Um (SSP)
炭素含有量:0.5ppm
直径: 100mm +/- 0.5mm
GBIR/TTV: 5 μm
導電性:最高性能のための高伝導性
半導体材料:高級のシリコンと他の半導体材料で最適性能
表面酸化:精密な制御のために高度な表面酸化
サポートとサービス
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