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詳細情報 |
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| 事態: | 固体 | 溶融点: | 1687K (1414 °C) |
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| 沸点: | 3173K (2900°C) | モル体積: | 12.06 × 10−6m3/mol |
| 蒸発熱: | 384.22kJ/mol | 溶解熱: | 50.55kJ/mol |
| 蒸気圧: | 4.77Pa (1683K) | グレード: | 主 |
| オリエンテーション: | <100> <110> <111>±1 | ||
| ハイライト: | 抵抗性: 10 (オム・センチメートル) シリコン・ウェーファー,抵抗: 1-10 (オム・センチメートル) シリコン・ウェーファー,双面ポリッシュ シリコン・ウェーファー |
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製品の説明
シリコン・ウェーファー CZ方向性111 抵抗性: 1-10 (ohm.cm) シングルサイドまたはダブルサイド・ポーリング
製品概要
半導体や太陽光発電の様々な用途に最適です 結晶構造と表面質を正確に制御することでこのウエファは高性能装置の製造を可能にします集積回路,太陽電池,MEMSデバイスで使用される場合でも,私たちのSiウエファーは様々な産業で要求されるアプリケーションに信頼性と効率性を提供します.
製品展示会
製品アプリケーション
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集積回路 (IC): 私たちのSiウエフは,スマートフォン,コンピュータ,自動車用電子機器半導体層の堆積と複数の電子部品を1つのチップに統合するための安定したプラットフォームを提供します.
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光電池 (PV) セル:我々のSiウエファーは,光電池アプリケーションのための高効率の太陽電池の生産に使用されます.それは半導体層の堆積のための基板として機能します.,太陽光パネルや再生可能エネルギーシステムで太陽光を電気に変換する方法を促進する.
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MEMS 装置:我々の Si ウェーファーは,加速計,陀螺鏡,圧力センサーなどのマイクロ電子機械システム (MEMS) 装置の製造を可能にします.機械的および電気的部品の統合のための安定した基盤を提供します精密な検出と制御を様々な用途で可能にします.
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パワーエレクトロニクス:当社のSiウエファーは,パワーエレクトロニクスアプリケーションのためのダイオード,トランジスタ,タイリスターなどのパワー半導体装置で使用されます.電気自動車の効率的なエネルギー変換と制御を可能にします再生可能エネルギーシステムと産業自動化機器
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光電子機器:当社のSiウエファは光検出器,光学調節器,および光発光二極管 (LED) などの光電子機器の開発をサポートします.半導体材料と光学機能の統合のためのプラットフォームとして機能します電気通信,データ通信,光学センサーの応用を可能にします.
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マイクロ電子機器:我々のシウミガンは,センサー,アクチュエーター,RFコンポーネントを含む様々なマイクロ電子機器の製造に不可欠ですマイクロスケールでの電子部品の統合のための安定した均質な基板を提供します消費者電子機器,自動車システム,医療機器の進歩を支援する
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センサー:我々のシワレンチは,環境モニタリング,生物医学センサー,産業自動化など様々な用途のセンサーの製造に使用されています.物理的検出のための敏感で信頼性の高いセンサー装置の製造を可能にします化学的,生物学的パラメータ
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太陽電池パネル:我々のシウミガンは再生可能エネルギー発電のための太陽電池パネルの製造に貢献します.それは半導体層の堆積のための基礎材料として機能します.太陽光効果によって太陽光を電気に変換できる.
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半導体装置:我々のシ・ウェーファーは,トランジスタ,ダイオード,コンデンサを含む幅広い半導体装置の製造に使用されています.それは,半導体材料の統合と様々なアプリケーションのための電子部品の製造のための安定した均質な基板を提供します..
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マイクロ流体学: 私たちのシワシウエフは,ラボ・オン・チップシステム,生物医学診断,化学分析などのアプリケーションのためのマイクロ流体装置の開発をサポートします.マイクロチャネルを統合するためのプラットフォームを提供します微小規模で精密な制御と操作を可能にします.
製品特性
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高度な純度:我々のSiウエファーは高度な純度を示し,低度の汚れや欠陥を有し,優れた電気特性とデバイス性能を保証します.
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均一な結晶構造:ウエファは,最小限の欠陥を持つ均一な結晶構造を有し,一貫したデバイス製造と信頼性の高い操作を可能にします.
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制御された表面品質:各ウエフは,平らで欠陥のない表面を達成するために厳格な表面処理プロセスに服します.薄膜の堆積と装置のインターフェースの形成に不可欠である.
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精密な寸法制御: 精密な寸法制御で製造され 表面全体に均等な厚さと平らさを保証します装置の製造過程を正確に促進する.
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調整可能な仕様: 私たちは,ドーピング濃度,抵抗性,方向性を含む,異なる半導体アプリケーションの特殊要件を満たすため.
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高熱安定性:ウエファは高熱安定性を示し,デバイスの性能を損なうことなく,幅広い温度範囲で信頼性の高い動作を可能にします.
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優れた電気特性: 私たちのシワシワは優れた電気特性を示しています 高キャリア移動性,低流出電流,均質な電気伝導性デバイスの性能と効率を最適化するために不可欠です.
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半導体プロセスとの互換性:このウエファーは,エピタキシ,リトグラフィ,エッチングを含む様々な半導体処理技術と互換性があります.既存の製造ワークフローにシームレスな統合を可能にします.
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信頼性と長寿:長期の信頼性のために設計されています私たちのSiウエファーは,その使用寿命を通して一貫した性能と耐久性を確保するために,厳格な品質管理措置を受けています.
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環境に優しい: 私たちのシウミガメは 環境に優しいもので,製造と運用中に健康と環境に最小限のリスクをもたらす持続可能な製造慣行に準拠.
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シリコンウエフルの仕様
ポイント ユニット 仕様 グレード - そうだ プライム 結晶性 - そうだ 単結晶 直径 インチ 2インチか3インチか4インチか6インチか8インチ 直径 mm 50.8±0.3 または 76.2±0.3 または 100±0.5 または 154±0.5 または 200±0.5 成長方法 CZ / FZ ドーパント ボロン/リン タイプ P / N型 厚さ μm 180 1000±10 または必要に応じて オリエンテーション <100> <110> <111>±1 耐性 オ-cm 必要に応じて 磨き 片面または双面に磨いたもの SiO2層 (熱酸化によって生じる) / Si3N4層 (LPCVDによって栽培される) 必要な層厚さ 梱包 必要に応じて