詳細情報 |
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サイズ: | 2インチまたはカスタマイズ可能 | 直径: | 50.05mm±02 |
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ドーパント: | S-C-N/S | 厚さ: | 350um±25 または個別化可能 |
フラットオプション: | エイジ | 主要指導: | [0-1-1]±0.02° |
第2次フラット・オリエンテーション: | [0-11] | 2番目の平面長さ: | 7mm±1 |
キャリア集中: | 2E18~8E18cm-3 | モビリティ: | 000~2000cm2/V·Sec |
ハイライト: | p型 4インチ InPウエーフ,4インチインプウエーファー,4インチインプウエフ |
製品の説明
Epi準備4インチ InPウエファー N型 p型 EPF<1000cm^2 厚さ325mm±50mm
製品概要
半導体革新の最前線に立っています 純正なインディウム・リン酸から作られています二重半導体,電子の速度が優れていることで知られる光電子,高速トランジスタ,そして共鳴トンネルダイオードにおいて 卓越した性能を提供します.高周波および高電力電子装置に広く使用される1000nm以上の波長を発射し検出する能力により 高速光ファイバー通信の能力により現代の電信におけるその重要性をさらに強化しますデータ・コム・テレコム・アプリケーションにおけるレーザーと光電極の基板として機能し 5Gの時代が近づくにつれて製品が礎石になる99.99%の純度で インディアム・フォスフィード・ウェーバーは 卓越した効率と効果を保証しますテクノロジーの進歩を推進する.
製品特性
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電子の速度は:インディアム・リン酸塩から作られた 私たちのウエファーは 特殊な電子速度を誇っています シリコンのような従来の半導体よりもですこの属性は,光電子アプリケーションでの有効性を裏付けています.急速トランジスタと共鳴トンネルダイオード
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高周波性能:私たちのウエファは高周波および高電力電子機器に広く使用されており 要求の高い運用要件を容易にサポートする能力を示しています
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光学効率:1000nm以上の波長を発射し検出する能力があり 高速光ファイバー通信システムで優れた性能を誇っており ネットワークの多様性において 信頼性の高いデータ伝送を保証しています
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汎用性のある基板:データ・コム・テレコム・アプリケーションにおけるレーザーと光二極管の基板として 機能します堅牢なパフォーマンスと拡張性を促進する.
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純度と信頼性99.99%の純度で インディアム・フォスフィード・ウェーバーは 一貫した性能と耐久性を保証し 現代の通信とデータ技術の厳しい要求を満たしています
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未来に備えるデザイン半導体イノベーションの最前線に位置し 私たちのウエファーは 新興技術のニーズを予測し 光ファイバー接続の不可欠な部品となっています地下鉄の環接網5G革命が迫っている中です
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仕様:
材料 InP シングルクリスタル オリエンテーション <100> サイズ (mm) ダイヤル50.8×0.35mm,10×10×0.35mm
10×5×0.35mm表面の荒さ Ra:≤5A 磨き SSP (単面磨き) または
DSP (二重表面磨き)InP結晶の化学特性:
シングルクリスタル ドーピング 導管の種類 キャリア濃度 移動率 変位密度 標準サイズ インピ / N (0.4-2) × 1016 (3.5-4) ×103 5×104 Φ2"×0.35mm
Φ3"×0.35mmインピ S N (0.8〜3) ×1018
(4-6) ×1018(2.0-2.4) ×103
(1.3-1.6) ×1033×104
2×103Φ2"×0.35mm
Φ3"×0.35mmインピ Zn P (0.6-2) ×1018 70~90 2×104 Φ2"×0.35mm
Φ3"×0.35mmインピ フェ N 107-108 ≥2000 3×104 Φ2"×0.35mm
Φ3"×0.35mm基本特性:
結晶構造 四面体 (M4) 格子定数 a = 5,869 Å 密度 4.81g/cm3 溶融点 1062 °C 毛骨質量 145.792 g/mol 外見 黒い立方結晶 化学的安定性 酸に少々溶ける 電子移動性 ((@300K) 5400cm2/ ((V·s) バンドギャップ ((@300 K) 1.344eV 熱伝導性 ((@300K) 0.68 W/ ((cm·K) 屈折指数 3.55 ((@632.8nm) -
製品アプリケーション
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オプトエレクトロニクス装置:当社のインディアム・フォスフィード・ウェーバーは,LED,レーザーダイオード,光検出器など光電子アプリケーションに広く使用されています.高性能の光電子部品の製造に理想的.
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高速トランジスタ:超高速トランジスタの製造を可能にします 信号処理とスイッチ速度が速いアプリケーションにとって不可欠ですこれらのトランジスタは,電信で使用されていますコンピュータやレーダーシステム
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光ファイバー通信:インディアム・フォスフィード・ウェーファーは,1000nm以上の波長を発射し検出する能力があるため,高速光ファイバー通信システムでは不可欠である.信号の損失を最小限に抑え,長距離にデータを転送できます.通信ネットワークやデータセンターにとって不可欠です
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レゾナンストンネルダイオード:この電波は高周波オシレーターで 応用されていますテラヘルツ画像量子コンピューティングです
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高周波電子機器:InPウエファは,マイクロ波増幅器,レーダーシステム,衛星通信を含む高周波および高電力電子機器で一般的に使用されています.高い電子移動性と信頼性により,要求の高い航空宇宙および防衛アプリケーションに適しています.
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データ・コム・テレコム・インフラストラクチャレーザーダイオードと光ダイオードの基板として機能する 私たちのウエフは データコムと通信インフラストラクチャの発展に貢献します高速データ通信と通信ネットワークのサポート光接送機,光ファイバースイッチ,波長分割マルチプレックスシステムの不可欠な部品です.
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新興技術:5G,IoT,自動運転車などの新興技術が進化し続けると インディアム・フォスフィード・ウェーバーの需要は増加するだけですこれらのウエファは 次世代の無線通信を可能にするために 重要な役割を果たしますセンサーネットワークやスマートデバイスです
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