• シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ
  • シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ
  • シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ
  • シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ
  • シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ
シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ

シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: ZMSH
モデル番号: SIのウエファー

お支払配送条件:

支払条件: T/T
ベストプライス 連絡先

詳細情報

育成方法: FZ オリエンテーション: <111>
方向性外: 最寄りの<110>まで4±0.5度 タイプ/添加物: P/ボロン
耐性: 10〜20W/cm RRV: ≤15% (最大縁-Cen) /Cen
TTV: ≤5m 弓: ≤40um
ゆがみ: ≤40um
ハイライト:

オリエンテーション100 シリコン・ウェーバー

,

500+/-20 抵抗性 シリコン・ウェーバー

,

厚さ4インチ シリコンウエファー

製品の説明

シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ

製品概要

シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ 0

高性能半導体装置の基礎となるように 精巧に設計されています先進的な浮遊ゾーン単結晶性シリコン技術で製造されたこの基板は,優れた電子特性を保証する, 卓越した純度と均質性を提供します. 結晶構造と不純度レベルを正確に制御することで,信頼性と性能が向上した最先端の半導体装置の製造を可能にします集積回路,電源電子機器, フォトボータイクアプリケーションに用いられるものであれ, 私たちのシリコン基板は様々な産業におけるイノベーションを可能にします.テクノロジーや工学の進歩を推進する.

製品展示会

 

シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ 1シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ 2

製品特性

  1. 超純粋なシリコン: 基質は浮遊領域の単結晶性シリコンでできていて 高性能半導体装置にとって極めて重要な 卓越した純度レベルを保証します

  2.  

  3. 均一な結晶構造:基質は,欠陥や不規則性のない均一な結晶構造を有し,表面全体に一貫した電気特性を保証する.

  4.  

  5. 低不純度: 不純度濃度を慎重に制御することで 基質には低濃度で望ましくない電子効果を最小限に抑え,デバイスの信頼性を確保する.

  6.  

  7. 高熱安定性:基板は高熱安定性を示し,性能や整合性を損なうことなく,幅広い温度範囲で信頼性の高い動作を可能にします.

  8.  

  9. 正確な寸法制御:各基板は,正確なデバイス製造プロセスを容易にするため,一貫した厚さと平らさを保証する正確な寸法制御で製造されます.

  10.  

  11. 優れた表面質: 表面は滑らかで欠陥のない表面仕上げで,薄膜の堆積と高品質のデバイスインターフェースの形成に不可欠です.

  12.  

  13. ドーピング濃度,抵抗力,方向性など異なる半導体アプリケーションの特殊要件を満たすため.

  14.  

  15. 半導体プロセスとの互換性:基板は,エピタキシ,リトグラフィ,エッチングを含む様々な半導体処理技術と互換性がある.既存の製造ワークフローにシームレスな統合を可能にします.

  16.  

  17. 電気性能: 私たちの基板は優れた電気性能を示し, 高いキャリア移動性, 低流出電流,デバイスの性能と効率を最適化するために不可欠です.

  18.  

  19. 信頼性と長寿:長期の信頼性のために設計されています私たちの基板は,その運用寿命を通して一貫した性能と耐久性を確保するために厳格な品質管理措置を受けています.

  20. FZ単結晶シリコン仕様

     

    タイプ 導管の種類 オリエンテーション 直径 (mm) 導電性 (Ω•cm)
    高耐性 N&P <100>&<111> 76.2-200 >1000
    NT1 関連性 N <100>&<111> 76.2-200 30~800
    CFZ N&P <100>&<111> 76.2-200 1〜50
    GD N&P <100>&<111> 76.2-200 0.001-300
     

     

     

    ワッフル仕様

     

    インゴットパラメータ ポイント 記述
    栽培方法 FZ
    オリエンテーション <111>
    方向性外 最寄りの<110>まで4±0.5度
    タイプ/ドーパント P/ボロン
    耐性 10〜20W/cm
    RRV ≤15% (最大縁-Cen) /Cen
     
     

     

     

     

    ウェッファーパラメータ ポイント 記述
    直径 150±0.5mm
    厚さ 675±15ミリ
    主要平面長さ 57.5±2.5mm
    主要的な平面方向性 <011>±1度
    二次平面長さ ない
    二次的な平面方向性 ない
    TTV ≤5m
    身をかがめる ≤40um
    ワープ ≤40um
    エッジプロファイル SEMI 標準
    前面 化学・機械的な磨き
    LPD ≥0.3 um@≤15 pcs
    裏面 酸で刻まれた
    エッジチップ ない
    パッケージ バキュームパッキング プラスチック内側,アルミニウム外側
  21. 製品アプリケーション

     

    集積回路 (IC): 精密な超純粋なシリコン基板は 幅広い電子機器で使用されるICの製造のための基本的な構成要素として機能しますスマートフォンを含むコンピュータや自動車の電子機器

    パワーエレクトロニクス:この基板は,ダイオード,トランジスタ,タイリスターなどのパワー半導体装置で使用されます.電気自動車などのアプリケーションで効率的なエネルギー変換と制御を可能にする再生可能エネルギーシステムと産業自動化

    高効率の太陽電池の製造において 重要な役割を果たしています半導体層と金属接触体の堆積のための安定し均一な基盤を提供する太陽エネルギー変換効率を向上させる.

    ライトエミティング・ダイオード (LED):LEDの製造において,我々の基板は半導体層の表軸成長のためのプラットフォームとして機能します.照明などのアプリケーションにおけるLED性能の均一性と信頼性を確保する自動車の照明です

    マイクロ電気機械システム (MEMS): 私たちの基板は加速計,ジロスコップ,圧力センサーを含むMEMSデバイスの製造を容易にする消費電子機器の精密感知と制御を可能にする自動車システムや医療機器

    ラジオ周波数 (RF) デバイス:この基板は,無線通信システム,衛星通信をサポートするRF増幅器,振動器,フィルターなどのRFデバイスの製造に使用されます.,高周波操作と信頼性のあるレーダーシステム

    光電子機器: 基板は光検出器,光学調節器,レーザーダイオードなどの光電子機器の開発を可能にします電気通信におけるアプリケーションへの貢献データ通信と光学センサー

    バイオメディカルセンサ: バイオメディカルエンジニアリングでは バイオセンサやバイオ電子機器の 製造に使われています薬物投与システム移植可能な医療機器です

    航空宇宙および防衛: 基板は,レーダーシステム,通信衛星,ミサイルガイドシステムを含む航空宇宙および防衛アプリケーションで使用されます.厳しい環境で重要なのです.

    新興技術: 私たちの基板は 量子コンピューティング,ニューロモルフィックコンピューティング,先進センサーなどの 新興技術の進歩をサポートし コンピューティングの革新を推進しています人工知能センサーの応用も

     

この製品の詳細を知りたい
に興味があります シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ タイプ、サイズ、数量、素材などの詳細を送っていただけませんか。
ありがとう!
お返事を待って。