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インジウムのヒ化物InAs
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February 15, 2023
チャット
ゲルマニウムのリン化インジウム/ガリウム砒素のウエファー
InAsの基質
半導体の基質
単結晶のモノクリスタルの半導体の基質のインジウムのヒ化物のInAsの基質
接触
3インチインプ インディアム・リン酸塩基板 N型半導体 VGF成長方法 111 100 方向性
接触
シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ
接触
Epi準備4インチ InPウエファー N型 p型 EPF<1000cm^2 厚さ325mm±50mm
接触
シリコン・ウェーファー CZ方向性111 抵抗性: 1-10 (ohm.cm) シングルサイドまたはダブルサイド・ポーリング
接触
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