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SiC wafer
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October 13, 2022
チャット
4h-semi high resistivity Single Crystal Polished Silicon carbide sic Wafer moissanite crystal
Silicon Carbide
2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 工業用 シリコンカービッド 表面粗さ ≤0.2nm
接触
2インチ4インチ模造の主なSiCの基質の熱衝撃の抵抗の陶磁器の炭化ケイ素の単一のウエファー
接触
6H-N 半絶縁型 SiC サブスタート/ウェッファー MOSFET、JFET BJT 高耐性 幅広く
接触
3インチシリコン・カービッド・ウェーファー4H N型CVD方向性4.0°±0.5°
接触
9.4 硬さ シリコン・カービッド・ウェッファー シングルクリスタル・ベアリング・パーツ カスタマイズされた形
接触
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