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光通信システムのためのシリコンウエファー上の厚さの大きなSiO2熱酸化物

半導体の基質
2023-10-10
380 意見
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#半導体ウエハー #ウエファーの基質 #gasbの基質
Sapphi光通信システム用シリコンウェーハ上の厚さの高い熱酸化物 (SiO2) 一般にシリコンウェーハの酸化層厚さは主に3μm以下に集中しており、高品質の酸化層厚（3μm以上）のシリコンウェーハを安定的に生産できる国と地域は依然として米国、日本、韓国、台湾が独占している。 、 中国。本プロジェクトは、現状の酸化膜成長プロセスにおける酸化膜(SiO)の成膜効率、膜厚限界、成膜品質を打破し、最... もっと眺め
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