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半導体用の半絶縁型SiCウエファー 3インチ76.2mm 4H型SiC

炭化ケイ素のウエファー

2023-11-21

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#炭化ケイ素の基質 #sicのウエファー #サファイアのウエファーのケイ素

抽象 4Hについて半断熱装置 SiC基板は,幅広い用途を持つ高性能半導体材料である.その名前は4H結晶構造上の成長から得られた.この基板は特殊な電気特性があります高抵抗性と低キャリア濃度を含むため,無線周波数 (RF),マイクロ波,電力電子機器に理想的な選択肢です. 4-H の主要特徴半断熱性シシ基板には非常に均質な電気特性,低汚れ濃度,優れた熱安定性がある.高周波RF電源装置の製造に適している... もっと眺め

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