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半導体用の半絶縁型SiCウエファー 3インチ76.2mm 4H型SiC

炭化ケイ素のウエファー
2023-11-21
32 意見
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#炭化ケイ素の基質 #sicのウエファー #サファイアのウエファーのケイ素
抽象 4Hについて半断熱装置 SiC基板は,幅広い用途を持つ高性能半導体材料である.その名前は4H結晶構造上の成長から得られた.この基板は 特殊な電気特性があります高抵抗性と低キャリア濃度を含むため,無線周波数 (RF),マイクロ波,電力電子機器に理想的な選択肢です. 4-H の主要特徴半断熱性シシ基板には非常に均質な電気特性,低汚れ濃度,優れた熱安定性がある.高周波RF電源装置の製造に適している... もっと眺め
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半導体用の半絶縁型SiCウエファー 3インチ76.2mm 4H型SiC
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