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超高電圧MOSFET用の4H-SiCエピタキシアルウェーバー (100×500μm,6インチ)

炭化ケイ素のウエファー
2025-09-02
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#炭化ケイ素の基質 #sicのウエファー #サファイアのウエファーのケイ素
製品概要 4H-SiC エピタキシアル・ウェーバー 電気自動車,スマートグリッド,再生可能エネルギー,高電力産業システムの急速な発展により 高電圧に対応できる半導体装置の需要が増加していますより大きな電力密度半導体の中で,シリコンカービッド (SiC) は,その広い帯域,高い熱伝導性,そして,より強い電磁場強度. 超高圧MOSFETアプリケーション向けに 特別に設計されています 100μmか... もっと眺め
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超高電圧MOSFET用の4H-SiCエピタキシアルウェーバー (100×500μm,6インチ)
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